[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110377967.1
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN112897457A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 萬蔡辛;何政達;趙成龍;蔣櫻
• 申請（專利權）人: 無錫韋爾半導體有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次形成犧牲層和結構層；以及

在所述犧牲層的側壁上形成金屬層，

其中，所述犧牲層和所述結構層上形成有臺階結構；

通過濺射生長的方式在所述臺階結構上形成所述金屬層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，蝕刻所述結構層和/或所述犧牲層以在所述結構層邊緣處形成臺階結構，

其中，所述犧牲層的側表面與所述襯底的上表面所成夾角小于85°；和/或所述結構層的側表面與所述犧牲層的上表面所成夾角小于85°。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括選自硅的氧化物、硅的氮化物、磷硅玻璃中的至少一種；

所述結構層的材料包括選自多晶硅、單晶硅、無定型硅中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述犧牲層和所述結構層后，在所述結構層上形成絕緣層；

所述絕緣層的材料包括硅的氮化物；

所述絕緣層的生長方式為低壓化學氣相淀積，配比為非富硅材料。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

蝕刻所述絕緣層以在所述絕緣層邊緣處形成臺階結構，

其中，所述絕緣層的側表面與所述結構層的上表面所成夾角小于85°；

所述金屬層覆蓋所述絕緣層邊緣處的臺階結構。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述絕緣層和所述結構層上設置過渡層；以及

在所述過渡層的上方設置所述金屬層。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述金屬層的上方形成保護層，所述保護層用于所述金屬層的保護。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

犧牲層，位于所述襯底的上方；

結構層，位于所述犧牲層的上方；以及

金屬層，覆蓋于所述犧牲層的側壁，用于保護所述犧牲層，

其中，所述結構層與所述犧牲層形成臺階結構，所述金屬層覆蓋所述臺階結構。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層包括：

金屬層主體，覆蓋于所述犧牲層的側壁，用于保護所述犧牲層；以及

金屬層延長部，分別與所述金屬層主體和所述襯底相連接，用于隔絕釋放過程中的藥液。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述犧牲層側面與所述襯底上表面的夾角小于85°。