[發明專利]一種BiVO4 在審
| 申請號： | 202110377321.3 | 申請日： | 2021-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN114250472A | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發明（設計）人： | 熊賢強;張曉;褚雨瀟;武承林;吳琛琦;張川群 | 申請（專利權）人： | 臺州學院 |
| 主分類號： | C23F13/12 | 分類號： | C23F13/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 劉奇 |
| 地址： | 318000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 bivo base sub | ||
1.一種BiVO4/CoP薄膜電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將乙酸鹽、次亞磷酸鹽、可溶性鈷鹽與溶劑混合，得到混合電解質溶液；
將BiVO4光電極置于所述混合電解質溶液中，以BiVO4光電極為工作電極，采用三電極系統進行循環伏安電沉積，在所述BiVO4光電極表面形成CoP助催化劑層，得到BiVO4/CoP薄膜電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述混合電解質溶液中乙酸鹽的濃度為0.5～5mol/L，次亞磷酸鹽的濃度為0.01～0.5mol/L，可溶性鈷鹽的濃度為0.02～1mol/L。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述三電極系統的對電極為鉑網電極，參比電極為氯化銀電極。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述循環伏安電沉積的條件包括：掃描速率為50～200mV/s，電位范圍為-0.9～0V，循環次數為3～100次。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述BiVO4光電極包括基底和負載于所述基底表面的BiVO4薄膜；所述BiVO4薄膜的厚度為500～1000nm。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述BiVO4薄膜由BiVO4納米顆粒形成；所述BiVO4納米顆粒的粒度為100～200nm。
7.權利要求1～6任一項所述制備方法制備的BiVO4/CoP薄膜電極，其特征在于，所述BiVO4/CoP薄膜電極包括BiVO4光電極和負載于BiVO4光電極表面的CoP助催化劑層。
8.根據權利要求7所述的BiVO4/CoP薄膜電極，其特征在于，所述CoP助催化劑層的厚度為2～50nm。
9.權利要求7或8所述的BiVO4/CoP薄膜電極在光生陰極防腐中的應用。
10.根據權利要求9所述的應用，其特征在于，所述應用中的陰極金屬材料為不銹鋼、碳鋼和鈦板。
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