[發明專利]一種用于共源共柵射頻低噪聲放大器共柵管的偏置電路在審
| 申請號： | 202110376884.0 | 申請日： | 2021-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN113114117A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 唐生霞;唐太平 | 申請（專利權）人： | 唐太平 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產權事務中心代理有限公司 62100 | 代理人： | 羅崇莉 |
| 地址： | 730030 甘肅省*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 共源共柵 射頻 低噪聲放大器 共柵管 偏置 電路 | ||
1.一種用于共源共柵射頻低噪聲放大器共柵管的偏置電路，包括共源共柵射頻低噪聲放大器發大電路，其特征在于：還包括偏置電壓產生電路，該電路包括電流源（I）、第六MOS管（M6）、第五MOS管（M5）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）、第一電阻（R1），第五電阻（R5）、第二電阻（R2），電源電壓（Vdd）經電流源（I）與第六MOS管（M6）的漏極相連接，第六MOS管（M6）的柵極通過第五電阻（R5）耦合到電壓源（VG2）以接收偏置電壓，第六MOS管（M6）的源極與第五MOS管（M5）的漏極相連，第五MOS管（M5）的源極接地，第五MOS管（M5）的柵極與第六MOS管（M6）的漏極相連后輸出第一電壓（VG1），第一電壓（VG1）通過第二電阻（R2）與第三MOS管（M3）的柵極相連，第三MOS管（M3）的源極、第四MOS管（M4）源極接地，第三MOS管（M3）的漏極與第七MOS管（M7）的源極相連，第四MOS管（M4）的漏極通過與第一電阻（R1）與第八MOS管（M8）的源極相連后輸出第二電壓（VG2b），第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）的漏極連接電源電壓（Vdd），第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）的柵極相連。
2.根據權利要求1所述的一種用于共源共柵射頻低噪聲放大器共柵管的偏置電路，其特征在于：所述第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）為NMOS管。
3.根據權利要求1所述的一種用于共源共柵射頻低噪聲放大器共柵管的偏置電路，其特征在于：第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）為PMOS管。
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