[發(fā)明專利]一種電解銅箔比表面積的測(cè)定方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110376618.8
• 申請(qǐng)日: 2021-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113176188A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雷;李倩倩;楊紅光;龐志君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 九江德福科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N15/08
• 分類號(hào): G01N15/08
• 代理公司: 北京紐樂(lè)康知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11210
• 代理人: 張朝元

本發(fā)明公開(kāi)了一種電解銅箔比表面積的測(cè)定方法，包括對(duì)電解銅箔表面進(jìn)行粗化和固化處理；將經(jīng)過(guò)粗化和固化處理的電解銅箔裁成平整樣條；使用超景深顯微鏡對(duì)所述平整樣條進(jìn)行觀測(cè)，利用3D成像功能，構(gòu)建3D圖形；截取一定面積的所述3D圖形，檢測(cè)所述3D圖形的表面積和截面積數(shù)據(jù)。通過(guò)本發(fā)明的檢測(cè)方法檢測(cè)銅箔比表面積，將比表面積測(cè)定量化，可有效反應(yīng)二次粗糙化銅粒的生長(zhǎng)程度，晶粒結(jié)晶的致密度，減少了晶體生長(zhǎng)缺陷的漏判。此方法檢測(cè)的電解銅箔表面銅粒分布取得良好評(píng)價(jià)，并且銅箔剝離強(qiáng)度穩(wěn)定易控。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電解銅箔制造技術(shù)領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種電解銅箔比表面積的測(cè)定方法。

背景技術(shù)

隨著5G通訊的不斷發(fā)展，PCB今后的發(fā)展方向轉(zhuǎn)向更精密高頻高速材料。電子電路箔作為覆銅板和PCB生產(chǎn)的功能性基礎(chǔ)材料，抗剝離性能作為電子電路箔的重要指標(biāo)，電子電路銅箔也把研究方向轉(zhuǎn)移到低輪廓銅箔的研究中。抗剝離性能反應(yīng)銅箔與基材結(jié)合能力，抗剝離輕度過(guò)低，銅箔與基材附著力低，在PCB及CCL后續(xù)加工過(guò)程中，受到熱沖擊，會(huì)與板層分離，造成生產(chǎn)報(bào)廢；抗剝離強(qiáng)度過(guò)高，會(huì)出現(xiàn)蝕刻不凈的顯現(xiàn),實(shí)際生產(chǎn)中僅以粗糙度作為剝離強(qiáng)度性能的工藝調(diào)整依據(jù)，過(guò)于單一。

生箔經(jīng)過(guò)粗化、固化工藝，增加銅箔表面的比表面積，單位面積晶粒生長(zhǎng)一定程度上直接影響抗剝離性能,如何將電解銅箔的比表面積測(cè)定量化，減少晶體生長(zhǎng)缺陷的漏判，從而更有益于銅箔性能的提升。

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種電解銅箔比表面積的測(cè)定方法，能夠解決上述問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種電解銅箔比表面積的測(cè)定方法，包括對(duì)電解銅箔表面進(jìn)行粗化和固化處理；將經(jīng)過(guò)粗化和固化處理的電解銅箔裁成平整樣條；使用超景深顯微鏡對(duì)所述平整樣條進(jìn)行觀測(cè)，利用3D成像功能，構(gòu)建3D圖形；截取一定面積的所述3D圖形，檢測(cè)所述3D圖形的表面積和截面積數(shù)據(jù)。

進(jìn)一步的，所述電解銅箔為STD銅箔（普通銅箔）或HTE銅箔（高溫高延展銅箔），所述銅箔厚度范圍為6μm—105μm。

進(jìn)一步的，所述STD銅箔粗化處理所使用粗化槽的進(jìn)口電流為2500-4000 A，所述STD銅箔粗化處理所使用粗化槽的出口電流為700-1000A；所述HTE銅箔固化處理所使用固化槽的進(jìn)口電流為2500-4000A，所述HTE銅箔固化處理所使用固化槽的出口電流為2000-2500A。

進(jìn)一步的，所述平整樣條的長(zhǎng)度為100mm；平整樣條的寬度為12.7mm。

進(jìn)一步的，所述構(gòu)建的3D圖像，放大倍率選擇1500倍，且經(jīng)過(guò)傾斜校正，保證樣品平整。

進(jìn)一步的，所述截取一定面積的大小為100μm*100μm。

本發(fā)明的有益效果：通過(guò)本發(fā)明的檢測(cè)方法檢測(cè)銅箔比表面積，將比表面積測(cè)定量化，可有效反應(yīng)二次粗糙化銅粒的生長(zhǎng)程度，晶粒結(jié)晶的致密度，減少了晶體生長(zhǎng)缺陷的漏判。此方法檢測(cè)的電解銅箔表面銅粒分布取得良好評(píng)價(jià)，并且銅箔剝離強(qiáng)度穩(wěn)定易控。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的電解銅箔的方法流程圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的比表面積和抗剝離關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式