[發(fā)明專利]一種基于揚(yáng)聲器陣列的定向聲場(chǎng)束寬控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110375017.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115209321A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張濤;劉忠正;耿彥章 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H04R9/06 | 分類號(hào)： | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 300072*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 揚(yáng)聲器 陣列 定向 聲場(chǎng) 控制 方法 | ||
1.一種基于揚(yáng)聲器陣列的定向聲場(chǎng)束寬控制方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)根據(jù)陣元數(shù)和陣元間距并確定n層圓環(huán)陣列陣型；
2)對(duì)每層揚(yáng)聲器陣元并聯(lián)連接，每層揚(yáng)聲器陣列視作一個(gè)子陣，對(duì)每層揚(yáng)聲器子陣并聯(lián)連接；
3)設(shè)置每層揚(yáng)聲器陣列的初始供電電壓幅度，即對(duì)每層揚(yáng)聲器子陣串聯(lián)電阻，設(shè)置電阻阻值使每層揚(yáng)聲器子陣電壓幅度按Dolph-Chebyshev分布；
4)定向聲場(chǎng)束寬控制：調(diào)節(jié)每層揚(yáng)聲器子陣電阻阻值改變每層揚(yáng)聲器子陣電壓幅度系數(shù)，對(duì)聲場(chǎng)主波束寬度和旁瓣級(jí)進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于揚(yáng)聲器陣列的定向聲場(chǎng)束寬控制方法，其特征在于，步驟1)包括：
(2.1)設(shè)置每層揚(yáng)聲器陣元數(shù)(即第n層陣元數(shù))：根據(jù)2*pi*(n-1)得到結(jié)果，再向上一位取整數(shù)即第n層陣元數(shù)；
(2.2)對(duì)應(yīng)每層揚(yáng)聲器陣元角度分布：2*pi/num；num為每層揚(yáng)聲器陣元數(shù)；
(2.3)設(shè)置最大陣元間距小于信號(hào)頻率半波長(zhǎng)。
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