[發(fā)明專利]硅片導(dǎo)電類型的判定方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110374102.X
• 申請(qǐng)日: 2021-04-07
• 公開（公告）號(hào): CN113109625A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛忠營(yíng);李名浩;劉赟;栗展;魏濤;劉文凱;戴榮旺;魏星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司;中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02;G01R31/28;G01R1/073
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 張敏

1.一種硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，包括：

提供待測(cè)硅片，對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行第一次電阻率測(cè)試，得到第一電阻率；

對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行熱處理；

對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行第二次電阻率測(cè)試，得到第二電阻率；以及，

對(duì)比所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述待測(cè)硅片的導(dǎo)電類型。

2.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，所述待測(cè)硅片的電阻率為100ohm·cm～10000ohm·cm。

3.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，所述待測(cè)硅片的氧含量為5ppm～20ppm。

4.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，所述熱處理的工藝溫度為350℃～500℃，所述熱處理的工藝氣體包括氬氣或氮?dú)猓鰺崽幚淼臅r(shí)間為1min～60min。

5.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，若所述第一電阻率大于所述第二電阻率，則所述待測(cè)硅片的導(dǎo)電類型為N型，若所述第一電阻率小于所述第二電阻率，則所述待測(cè)硅片的導(dǎo)電類型為P型。

6.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，在測(cè)量所述待測(cè)硅片的第一電阻率之前，還包括：

對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行快速熱處理，以去除所述待測(cè)硅片中的熱施主。

7.如權(quán)利要求6所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，所述快速熱處理的工藝溫度為750℃～1250℃，工藝時(shí)間為30s～50s。

8.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行熱處理之后，進(jìn)行第二次電阻率測(cè)試之前，還包括：

將所述待測(cè)硅片冷卻至18℃～28℃。

9.如權(quán)利要求1所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，采用直排四探針?lè)▽?duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行第一次電阻率測(cè)試和第二次電阻率測(cè)試。

10.如權(quán)利要求9所述的硅片導(dǎo)電類型的判定方法，其特征在于，對(duì)所述待測(cè)硅片進(jìn)行第一次電阻率測(cè)試和第一次電阻率測(cè)試的測(cè)試區(qū)域相同，均為離所述待測(cè)硅片的邊緣1cm～15cm以內(nèi)的區(qū)域。