[發明專利]基于CrPS4

在審

• 申請號: 202110373669.5
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113130704A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李亮;張翰林;陳利杰
• 申請（專利權）人: 安徽大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 合肥匯融專利代理有限公司 34141
• 代理人: 趙宗海

1.基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

(1)采用化學氣相輸送法制備CrPS₄單晶；

(2)用硅片刀將商業用標準4英寸p型摻雜的單拋氧化硅片切成1×1cm大小，清洗吹干后，得到硅片襯底；

(3)在手套箱中采用機械剝離法解離CrPS₄單晶薄片，再通過干法轉移方法轉移至硅片襯底上；

(4)在步驟(3)中所得到的產物上旋涂PMMA光刻膠，旋涂兩次后烘干，得到預處理硅片襯底；

(5)使用電子束對預處理硅片襯底進行曝光，后通過顯影技術得到所設計的電極圖案；

(6)通過電子束蒸鍍的方法使用鍍膜儀在步驟(5)中所得到的產物上先蒸鍍第一層金屬，再通過熱蒸發的方法使用鍍膜儀蒸鍍第二層金屬，得到電極樣品；

(7)將電極樣品放入丙酮中浸泡，取出后加熱，再利用膠頭滴管對電極樣品上方洗吹，待非電極區域的鍍層全部剝離硅片襯底后取出，接著用氮氣吹干，得到基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器。

2.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，單拋氧化硅片中SiO₂部分的厚度為200-500nm，Si部分的厚度為500μm。

3.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，將切割后的單拋氧化硅片依次用丙酮、無水乙醇，去離子水浸泡并分別超聲5-10min，再用氮氣吹干，得到硅片襯底。

4.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，第一次旋涂的轉速為500-700r/min，持續5-8s；第二次旋涂的轉速為3500-4500r/min，持續55-65s。

5.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，烘干時間為5-8min，烘干溫度為150-160℃。

6.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(6)中，第一層金屬為鈦、鉻中的任一種。

7.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(6)中，第二層金屬為金、鈀、鉑、銦中的任一種。

8.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(6)中，第一層金屬的厚度為5-20nm，第二層金屬的厚度為20-100nm。

9.根據權利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(7)中，加熱時間為10-20min，加熱溫度為35-45℃。