[發明專利]一種鈍化層制作方法

在審

• 申請號: 202110373658.7
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113113324A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 沈怡東;張超;徐冠東
• 申請（專利權）人: 捷捷半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L21/329
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 榮穎佳

本申請提供了一種鈍化層制作方法，涉及半導體技術領域。首先提供一待鈍化二極管，其中，待鈍化二極管包括相互連接的N型層與P型層，然后利用正硅酸乙酯沿P型層的表面制作二氧化硅層，再去除目標區域內的二氧化硅層，并露出目標區域內的P型層，再對目標區域內的P型層與N型層進行刻蝕，以形成露出PN結的溝槽，最后利用玻璃粉在溝槽內實現電泳玻璃工藝，并將玻璃粉進行燒結，以形成鈍化層。本申請提供的鈍化層制作方法具有產品性能好、可靠性高以及復雜度低等優點。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種鈍化層制作方法。

背景技術

在制作快恢復二極管時，需要利用玻璃粉制作鈍化層，目前常見的利用玻璃粉制作鈍化層的工藝一般包括三種，分別為手術刀法進行玻璃鈍化、光阻玻璃法以及電泳玻璃法。

其中，手術刀法進行玻璃鈍化的工藝屬于純手工操作，作業過程復雜，破片較多，且溝槽鳥嘴部分玻璃鈍化保護不好，易引起可靠性問題。光阻玻璃法會造成玻璃粉較浪費，且因光阻玻璃較厚，不易曝光顯影；燒結過程存在較多有機物，存在碳污染風險。電泳玻璃法：因快恢復二極管生產過程表面無氧化層(無絕緣層)，無法實現選擇性電泳工藝(熱生長的氧化層溫度均大于1000度，影響產品的TRR值)；即使能實現電泳工藝，玻璃粉選擇不恰當需進行引線工藝，工藝流程復雜。

綜上，目前在制作鈍化層時，存在可靠性低，復雜度高以及工藝流程復雜的問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種鈍化層制作方法，以解決現有技術中在制作鈍化層時，存在的可靠性低，復雜度高以及工藝流程復雜等問題。

為了實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：

本申請實施例提供了一種鈍化層制作方法，應用于快恢復二極管，所述方法包括：

提供一待鈍化二極管，其中，所述待鈍化二極管包括相互連接的N型層與P型層；

利用正硅酸乙酯沿所述P型層的表面制作二氧化硅層；

去除目標區域內的二氧化硅層，并露出目標區域內的P型層；

對所述目標區域內的P型層與N型層進行刻蝕，以形成露出PN結的溝槽；

利用玻璃粉在所述溝槽內實現電泳玻璃工藝，并將所述玻璃粉進行燒結，以形成鈍化層。

可選地，在利用所述正硅酸乙酯沿所述P型層的表面制作二氧化硅層時的溫度低于900℃。

可選地，去除目標區域內的二氧化硅層，并露出目標區域內的P型層的步驟包括：

對所述二氧化硅層進行勻膠、曝光以及顯影，以形成目標區域的圖形；

利用氫氟酸對所述目標區域內的二氧化硅層進行刻蝕，以露出所述目標區域的P型層。

可選地，所述對所述目標區域內的P型層與N型層進行刻蝕，以形成露出PN結的溝槽的步驟包括：

將體積比為1:1～1:3的氫氟酸與硝酸進行混合，并獲取刻蝕酸液；

利用所述刻蝕酸液對所述P型層與N型層進行刻蝕，并露出PN結。

可選地，在所述對所述目標區域內的P型層與N型層進行刻蝕，以形成露出PN結的溝槽的步驟之后，所述方法包括：

對所述溝槽進行清洗。

可選地，所述利用玻璃粉在所述溝槽內實現電泳玻璃工藝，并將所述玻璃粉進行燒結，以形成鈍化層的步驟包括：

利用玻璃粉在所述溝槽內實現電泳玻璃工藝，并在700-850℃條件下，在N₂與O₂環境中，將所述玻璃粉進行燒結。