[發(fā)明專利]一種鋁摻雜4H碳化硅的激光熱處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110373588.5 | 申請日： | 2021-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN113097059A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉宏倫;蔡斯元;蔡期開;洪天河;鐘其龍;劉崇志 | 申請（專利權(quán)）人： | 芯璨半導(dǎo)體科技（山東）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/268 | 分類號： | H01L21/268;H01L21/04 |
| 代理公司： | 泉州市文華專利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陳雪瑩 |
| 地址： | 250000 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻雜 碳化硅 激光 熱處理 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種鋁摻雜4H碳化硅的激光熱處理方法，其特征在于：包括
步驟1、把注入鋁受體碳化硅放置純Ar氣下，氣壓在500-800torr；
步驟2、以Nd:YAG激光脈沖第一階段照射30-100次在Al受主制備P型區(qū)上，能量密度1.3-1.7J.cm-2；
步驟3、以Nd:YAG激光脈沖第二階段照射30-100次在Al受主制備P型區(qū)上，能量密度2.0-2.8J.cm-2；
步驟4、以Nd:YAG激光脈沖第三階段照射30-100次在Al受主制備P型區(qū)上，能量密度3.0-4.0J.cm-2，完成注入后熱處理工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁摻雜4H碳化硅的激光熱處理方法，其特征在于：所述Nd:YAG激光的波長是355nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁摻雜4H碳化硅的激光熱處理方法，其特征在于：所述Nd:YAG激光的光點0.5-2μm，功率為1-5W。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
