[發明專利]MEMS器件的ESD保護系統在審
| 申請號: | 202110373346.6 | 申請日: | 2021-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN113104803A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 大衛·莫林諾·吉爾斯 | 申請(專利權)人: | 瑞聲科技(南京)有限公司;瑞聲聲學科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02;B81B7/00 |
| 代理公司: | 深圳紫辰知識產權代理有限公司 44602 | 代理人: | 萬鵬 |
| 地址: | 210046 江蘇省南京市棲霞區仙林*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mems 器件 esd 保護 系統 | ||
1.一種MEMS器件的ESD保護系統,其包括控制電路、電性連接所述控制電路的MEMS器件以及電性連接所述控制電路且與所述MEMS器件并聯的ESD保護裝置,其特征在于:所述ESD保護裝置包括電性連接所述控制電路的上電極組件、具有懸臂彈性的懸臂以及下電極組件,所述懸臂包括電性連接所述控制電路的第一電極層、電性連接所述MEMS器件的第二電極層以及電性連接所述第二電極層的可動金屬觸點;所述下電極組件包括電性連接所述MEMS器件的下電極層、電性連接所述下電極層且與所述可動金屬觸點相對設置的固定金屬觸點。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述ESD保護裝置還包括具有收容腔的殼體,所述懸臂收容于所述收容腔且被所述殼體彈性支撐。
3.根據權利要求2所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述殼體包括頂壁、底壁以及連接所述頂壁和所述底壁的側壁,所述上電極組件固定于所述頂壁,所述下電極組件固定于所述底壁,所述懸臂固定于所述側壁。
4.根據權利要求3所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述ESD保護裝置還包括彈性件,所述彈性件的一端連接所述懸臂、另一端連接所述側壁。
5.根據權利要求1所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述上電極組件包括若干相互間隔設置的的上電極片、封裝所述上電極片的上氧化層以及至少一個自所述上氧化層朝所述懸臂延伸的凸出部。
6.根據權利要求5所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述懸臂還包括封裝所述第一電極層的第一氧化層、封裝所述第二電極層的第二氧化層,所述可動金屬觸點暴露于所述第二氧化層外面。
7.根據權利要求6所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述第一氧化層、第二氧化層一體成型,
8.根據權利要求6所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述下電極組件還包括封裝所述下電極層的下氧化層,所述固定金屬觸點暴露在所述下氧化層外面。
9.根據權利要求1所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述ESD保護裝置的懸臂的面積大于所述MEMS器件的懸臂的面積。
10.根據權利要求1所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述可動金屬觸點與所述固定金屬觸點之間的接觸電阻比MEMS器件的電阻低。
11.根據權利要求1所述的MEMS器件的ESD保護系統,其特征在于,所述控制電路包括CMOS電路以及電性連接所述CMOS電路的高壓輸入,所述MEMS器件與所述ESD保護裝置均電性連接所述高壓輸入,所述CMOS電路用于控制所述高壓輸入與所述MEMS器件或所述ESD保護裝置電性連接。
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