[發明專利]一種半導體器件的形成方法、鍺光電探測器的制備方法在審

申請號：	202110373289.1	申請日：	2021-04-07
公開（公告）號：	CN113299550A	公開（公告）日：	2021-08-24
發明（設計）人：	崔中正;李志華;唐波;張鵬;楊妍	申請（專利權）人：	中國科學院微電子研究所
主分類號：	H01L21/306	分類號：	H01L21/306;H01L31/18;H01L31/101
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種半導體器件形成方法光電探測器制備
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【說明書】：

本發明能夠提供一種半導體器件的形成方法、鍺光電探測器的制備方法。該器件形成方法包括：提供半導體襯底，在該半導體襯底上形成二氧化硅層；刻蝕二氧化硅層，以在二氧化硅層上形成凹槽，并露出半導體襯底；在凹槽內通過外延生長的方式形成金屬鍺層，對金屬鍺層進行化學機械平坦化處理，以去掉凸出于二氧化硅層上的金屬鍺；通過負性光刻膠腐蝕掉化學機械平坦化處理過程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層。本發明創新地在對金屬鍺層進行CMP工序后在鍺層上旋涂負性光刻膠，利用負性光刻膠的輕微腐蝕性較好地腐蝕掉拋光后的鍺損傷層，從而極大地提高金屬鍺層質量，進而明顯提高了器件的性能，而且具有工藝上易實現且投入成本低等優點。

技術領域

本發明涉及鍺光電探測器制備工藝技術領域，更為具體來說，本發明能夠提供一種半導體器件的形成方法、鍺光電探測器的制備方法。

背景技術

隨著硅光技術的持續發展和不斷發展，基于波導集成的鍺光電探測器展現出了傳統光電探測器所不具備的優異性能。其中，波導本身具有非常優異的光學性質，而且波導與金屬鍺薄膜在工藝上是兼容的，這就為制備高性能的波導集成型鍺光電探測器打下了良好的基礎。在制備波導集成型鍺光電探測器的幾乎所有的主流工藝過程中，CMP(ChemicalMechanical Planarization，化學機械平坦化)工序是必不可少的關鍵步驟。但通過CMP拋光打磨金屬鍺層時無法避免地對金屬鍺層表面產生損傷，使得損傷的鍺表面存在大量的表面態和缺陷，導致加工出來的鍺光電探測器暗電流明顯升高，極大地影響了器件性能，這成為一直困擾著本領域技術人員的技術難題。

發明內容

為解決現有技術存在的一個或多個技術問題，本發明具體可提供一種半導體器件的形成方法、鍺光電探測器的制備方法。

為實現上述技術目的，本發明公開了一種半導體器件的形成方法，該形成方法可包括但不限于如下的至少一個步驟。

提供半導體襯底。

在所述半導體襯底上形成二氧化硅層。

刻蝕所述二氧化硅層，以在所述二氧化硅層上形成凹槽，并露出所述半導體襯底。

在所述凹槽內通過外延生長的方式形成金屬鍺層。

對所述金屬鍺層進行化學機械平坦化處理，以去掉凸出于所述二氧化硅層的金屬鍺。

通過負性光刻膠腐蝕掉所述化學機械平坦化處理過程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層。

進一步地，所述通過負性光刻膠腐蝕掉所述化學機械平坦化處理過程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層包括：

在所述金屬鍺層上涂覆増附劑。

在所述金屬鍺層上涂覆負性光刻膠，以通過所述負性光刻膠腐蝕掉所述化學機械平坦化處理過程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層。