[發明專利]C波段的高隔離收發同時天線

有效

• 申請號: 202110371816.5
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113206384B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 魏璽章;謝明聰;鄧天偉;胡杜娟;唐燕群;肖潔
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01Q13/08
• 分類號: H01Q13/08;H01Q1/50;H01Q1/52
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 胡輝

1.一種C波段的高隔離收發同時天線，其特征在于，包括：

第一介質基板；所述第一介質基板包括相對的上表面和下表面，所述第一介質基板的上表面設有微帶貼片，所述微帶貼片上開有第一U型槽、第二U型槽和第三U型槽，所述第二U型槽和所述第三U型槽對稱分布在所述第一U型槽的兩側，所述第二U型槽和第三U型槽的開口方向均朝向所述第一U型槽，所述第一U型槽的開口方向與所述第二U型槽和第三U型槽的開口方向垂直；

第二介質基板；所述第二介質基板包括相對的上表面和下表面，所述第二介質基板的上表面設有金屬缺陷地，所述金屬缺陷地開有工字型縫隙；所述第二介質基板的下表面設有環形微帶線、第一直線微帶線和第二直線微帶線，所述環形微帶線與所述第一直線微帶線連接，所述第二直線微帶線朝所述環形微帶線所在圓的圓心方向伸入所述環形微帶線的開口內；

第一金屬柱和第二金屬柱；所述第一金屬柱和所述第二金屬柱用于固定所述第一介質基板和所述第二介質基板以及用于實現接收天線的差分饋電；

所述金屬缺陷地設有第一圓形縫隙和第二圓形縫隙，所述第一圓形縫隙和第二圓形縫隙對稱分布在所述工字型縫隙的兩側，所述第一圓形縫隙供所述第一金屬柱穿過，所述第二圓形縫隙供所述第二金屬柱穿過，使所述第一金屬柱和所述第二金屬柱均不與所述金屬缺陷地連接；

所述環形微帶線的一端向所述環形微帶線所在圓的圓心方向延伸出第一延伸部，所述環形微帶線的另一端向所述環形微帶線所在圓的圓心方向延伸出第二延伸部；

所述第一延伸部所在延長線與所述第二延伸部所在延長線所成夾角為120°；

所述第一延伸部向所述第二直線微帶線伸入方向延伸出第一凸出部，所述第二延伸部向所述第二直線微帶線伸入方向延伸出第二凸出部；

所述第一直線微帶線成120°彎折；

所述第二直線微帶線伸入至超過所述環形微帶線所在圓的圓心。

2.根據權利要求1所述的C波段的高隔離收發同時天線，其特征在于，所述第一金屬柱的一端穿過所述第一介質基板并與所述微帶貼片連接，所述第一金屬柱的另一端通過所述第一圓形縫隙穿過所述第二介質基板并與所述第一凸出部連接；所述第二金屬柱的一端穿過所述第一介質基板并與所述微帶貼片連接，所述第二金屬柱的另一端通過所述第二圓形縫隙穿過所述第二介質基板并與所述第二凸出部連接。

3.根據權利要求1所述的C波段的高隔離收發同時天線，其特征在于，所述第一U型槽的開口到底端的長度與開口寬度之比不小于3，所述第二U型槽的開口寬度與開口到底端的長度之比不小于3，所述第三U型槽的開口寬度與開口到底端的長度之比不小于3。

4.根據權利要求1所述的C波段的高隔離收發同時天線，其特征在于，所述工字型縫隙的臂的長度大于兩臂之間的距離。

5.根據權利要求1所述的C波段的高隔離收發同時天線，其特征在于，所述第一介質基板和所述第二介質基板的材質均為F4B，所述第一介質基板和所述第二介質基板的介電常數均為3.5，所述第一介質基板和所述第二介質基板的損耗正切均為0.001，所述第一介質基板和所述第二介質基板的物理尺寸均為0.64λ×0.64λ×0.08λ，所述第一介質基板和所述第二介質基板之間的距離為0.06λ，所述第二直線微帶線伸入超過所述環形微帶線所在圓的圓心的部分長度為λ/4，λ為根據所述C波段的高隔離收發同時天線的工作頻率所確定的電磁波在自由空間中的波長。