[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的制備方法和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110371659.8
• 申請(qǐng)日: 2021-04-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113161483B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 占康澍;夏軍;宛強(qiáng);李森;劉濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L49/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

于所述襯底表面形成堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括從下至上依次層疊設(shè)置的第一支撐層、第一犧牲層、第二支撐層、第二犧牲層和第三支撐層，在同一刻蝕條件下，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的刻蝕速率不同，所述第一犧牲層與所述第二犧牲層的選擇比為：1:10-100:1；

于所述堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)形成貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的電容孔，同時(shí)形成聚合物層，所述聚合物層為形成于所述第三支撐層、第二犧牲層、所述第二支撐層和所述第一犧牲層的側(cè)壁的固態(tài)副產(chǎn)物；

于所述電容孔內(nèi)形成覆蓋其內(nèi)壁表面的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層位于所述第一犧牲層側(cè)壁部分形成有穿孔，所述聚合物層覆蓋所述穿孔且所述聚合物層形成在所述第一犧牲層的部分向下超出所述穿孔；

去除部分所述第三支撐層以形成暴露所述第二犧牲層的開(kāi)口；

通過(guò)所述開(kāi)口采用高選擇比的刻蝕工藝去除所述第二犧牲層，保留所述第一犧牲層，同時(shí)去除所述聚合物層；

沿暴露所述第一犧牲層的開(kāi)口和所述穿孔刻蝕所述第一犧牲層以去除所述第一犧牲層；

于所述第一支撐層、所述第二支撐層和所述第一導(dǎo)電層的表面形成介電層；

于所述介電層表面形成第二導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層為摻硼的氧化硅層，所述第二犧牲層為硬碳層、聚酰亞胺層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在采用高選擇比的刻蝕工藝去除所述第二犧牲層，保留所述第一犧牲層的步驟中，采用干法刻蝕去除所述第二犧牲層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用氮?dú)狻錃饣騼煞N氣體的混合的等離子體的灰化工藝去除所述第二犧牲層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在于所述堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)形成貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的電容孔步驟中包括：

于所述堆疊結(jié)構(gòu)表面形成掩膜圖案；

通過(guò)使用所述掩膜圖案為掩膜刻蝕所述堆疊結(jié)構(gòu)以形成所述電容孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在于所述堆疊結(jié)構(gòu)表面形成掩膜圖案的步驟中包括：

于所述第三支撐層表面形成第一掩膜層；

于所述第一掩膜層表面形成第二掩膜層；

形成貫穿所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的通孔，所述通孔與形成所述電容孔的位置對(duì)應(yīng)；

去除所述第二掩膜層且保留所述第一掩膜層以形成所述掩膜圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜層為正硅酸乙酯層，所述第二掩膜層為多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一支撐層、所述第二支撐層和所述第三支撐層為氮化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在去除所述第一犧牲層的步驟中，采用濕法刻蝕去除所述第一犧牲層。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為采用上述權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法制備形成。