[發(fā)明專利]一種基于刻蝕壓電薄膜的高機電耦合系數(shù)聲表面波器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110371349.6 | 申請日： | 2021-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN113098419A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘峰;徐惠平;曾飛;傅肅磊;沈君堯;蘇榮宣 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 任曉云 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)1*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 刻蝕 壓電 薄膜 機電 耦合 系數(shù) 表面波 器件 | ||
1.一種聲表面波器件，從下至上依次包括高聲速襯底，部分刻蝕壓電薄膜和頂電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其特征在于：所述部分刻蝕壓電薄膜的總厚度為h，刻蝕部分深度為d，刻蝕比例d/h為0＜d/h≤1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲表面波器件，其特征在于：所述頂電極為叉指電極，對叉指之間壓電薄膜進行部分刻蝕；
所述頂電極的厚度為t1；
所述頂電極的寬度和未刻蝕壓電薄膜的寬度保持一致為w；
金屬化比為2w/λ，0.1≤2w/λ≤0.9；
頂電極歸一化厚度為t1/λ，0＜t1/λ≤0.3；具體可為0.01≤t1/λ≤0.13；
壓電薄膜歸一化厚度為h/λ，0＜h/λ≤3；具體可為0.5≤h/λ≤1；
所述λ為聲表面波的波長；
所述聲表面波的波長λ為1μm≤λ≤5μm；具體可為2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的聲表面波器件，其特征在于：所述叉指之間壓電薄膜的刻蝕形狀為柱狀，具體可為長方柱；
壓電薄膜的刻蝕部分緊挨頂電極一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的聲表面波器件，其特征在于：所述高聲速襯底和所述部分刻蝕壓電薄膜之間增加底電極；
具體的，所述底電極的材料為以下一種金屬或者兩種金屬的二元合金：Al、Cu、Pt、Mo、W、Ni。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件，其特征在于：所述底電極的厚度為t2，底電極歸一化厚度為t2/λ，0＜t2/λ≤0.3，具體可為0.01≤t2/λ≤0.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的聲表面波器件，其特征在于：所述高聲速襯底為碳化硅基片，藍寶石基片或金剛石基片；
所述頂電極的材料為以下一種金屬或者兩種金屬的二元合金：Al、Cu、Pt、Mo、W、Ni。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的聲表面波器件，其特征在于：所述部分刻蝕壓電薄膜為氧化鋅薄膜或摻雜氧化鋅薄膜；
所述摻雜氧化鋅薄膜的摻雜元素為Cr、Fe或V。
9.權(quán)利要求1-8中任一項所述的聲表面波器件在制備濾波器中的應(yīng)用。
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