[發(fā)明專利]長(zhǎng)量程光學(xué)自參考位移傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110371245.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112857232B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 武京治;王艷紅;楊恒澤;李孟委 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01B11/02 | 分類號(hào)： | G01B11/02 |
| 代理公司： | 廈門市天富勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 唐紹烈 |
| 地址： | 030051*** | 國(guó)省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量程 光學(xué) 參考 位移 傳感器 | ||
1.長(zhǎng)量程光學(xué)自參考位移傳感器，其特征在于：包括由上至下依次的金膜層(1)、上玻璃層(2)、間隙層(3)、下玻璃層(4)和硅基底(5)，所述金膜層(1)的厚度為100nm，所述金膜層(1)上蝕刻有雙納米孔(6)，雙納米孔(6)包括兩個(gè)相交的圓形納米孔，所述雙納米孔(6)下方的間隙層(3)中對(duì)應(yīng)設(shè)置有兩個(gè)并排排列的效應(yīng)塊(7)，該效應(yīng)塊(7)為金納米塊；所述雙納米孔(6)中的每個(gè)圓形納米孔直徑為150nm，兩個(gè)圓形納米孔之間的圓心距為120nm，所述間隙層(3)的厚度為300nm，所述下玻璃層(4)的厚度為400nm，所述上玻璃層(2)的厚度為100nm。
2.如權(quán)利要求1所述長(zhǎng)量程光學(xué)自參考位移傳感器，其特征在于：所述雙納米孔(6)與兩個(gè)效應(yīng)塊(7)呈陣列設(shè)置，相鄰兩組雙納米孔(6)之間隔設(shè)納米級(jí)間隙。
3.如權(quán)利要求1所述長(zhǎng)量程光學(xué)自參考位移傳感器，其特征在于：所述間隙層(3)之間填充有液體。
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