[發明專利]形成含氮碳膜的方法和用于執行該方法的系統在審
| 申請號： | 202110371233.2 | 申請日： | 2021-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN113529044A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 杉浦博次;菊地良幸 | 申請（專利權）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/00 | 分類號： | C23C16/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 含氮碳膜 方法 用于 執行 系統 | ||
1.一種形成含氮碳膜的方法，所述方法包括以下步驟：
向反應室提供前體，其中所述前體的化學式包含以下中的一種或多種：
(C-N-C)a和/或(C-N＝C)a1，其中a和a1為獨立地選擇并大于或等于1的整數；和
具有包含C、H、O和N的環狀結構的環狀化合物；以及
使用所述前體在基板的表面上形成含氮膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述環狀化合物包含環狀骨架，所述環狀骨架包含5至7個之間的原子。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述環狀骨架包含N。
4.根據權利要求2和3中任一項所述的方法，其中所述環狀骨架由C、O和N中的一者或多者組成。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述環狀化合物由C、H、O和N中的一者或多者組成。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述環狀化合物還包含一個或多個側鏈。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述一個或多個側鏈中的至少一個的化學式為CwHxNyOz，其中w、x、y和z各自單獨地選擇并且各自為自然數。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述前體選自1,3,5-三甲基六氫-1,3,5-三嗪、1,3,5-三嗪、2,4,6-三甲基-s-三嗪和1-甲基-2-吡咯烷酮中的一個或多個。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述前體在常溫常壓下為液體或固體。
10.根據權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述前體在常溫常壓下為氣體。
11.根據權利要求1-10中任一項所述的方法，所述方法還包括向所述反應室提供反應物的步驟。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述反應物包括包含H、N和C中的一者或多者的化合物。
13.根據權利要求11和12中任一項所述的方法，其中所述反應物包含氫、氮、包含氫和氮的化合物以及烴中的一個或多個。
14.根據權利要求11-13中任一項所述的方法，所述方法還包括通過改變所述前體的流速與所述反應物的流速的比率來操縱所述含氮碳膜中氮的量的步驟。
15.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中形成含氮碳膜的步驟被熱活化。
16.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中形成含氮碳膜的步驟包括等離子體工藝。
17.根據權利要求16所述的方法，其中所述等離子體工藝包括直接等離子體。
18.根據權利要求16和17中任一項所述的方法，其中所述等離子體工藝包括使用電容耦合等離子體、電感耦合等離子體和微波等離子體中的一個或多個。
19.一種形成結構的方法，所述方法包括根據權利要求1-18中任一項所述的方法。
20.一種系統，所述系統用于執行根據權利要求1-19中任一項所述的方法。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
