[發明專利]氣體供應單元及包括其的襯底處理設備

在審

• 申請號: 202110371203.1
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113539775A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 金材玹;金大淵;李政鎬;張顯秀;全然孮
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種能夠防止功率耗散且實現高過程再現性的襯底處理設備包括分隔件和在分隔件下方的處理單元，其中處理單元包括導電本體和與導電本體一體地形成的至少一個導電突起。

技術領域

一個或多個實施例涉及一種氣體供應單元和包括其的襯底處理設備，且更具體地涉及一種用于處理襯底的氣體供應單元和包括所述氣體供應單元的襯底處理設備。

背景技術

當在半導體或顯示器制造設備中以高溫處理襯底時，該過程可能需要在高溫氣氛中執行。在這種情況下，由于高溫氣氛，可能發生反應器的變形。由于反應器的變形，可能會發生功率損失(特別是等離子體處理中的RF功率)等，并且過程再現性可能惡化。

高溫氣氛中的反應器的變形問題也在韓國專利公開號10-2011-0058534中提到。更詳細而言，下文提及隨著襯底的尺寸增加，氣體注入板制造成大尺寸，并且沉積薄膜的厚度均勻性由于熱變形增加而惡化。

發明內容

一個或多個實施例包括氣體供應單元和包括其的襯底處理設備，其可以防止在如上所述的高溫過程中的反應器變形以及所產生的功率損失和過程再現性降低。

其它方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或可以通過實踐所呈現的本公開的實施例而了解。

根據一個或多個實施例，襯底處理設備包括分隔件和在分隔件下方的處理單元，其中處理單元包括導電本體和與導電本體一體地形成的至少一個導電突起。

根據襯底處理設備的實例，襯底處理設備可進一步包括導電本體與導電突起之間的金屬導電接頭，其中導電本體、導電突起和金屬導電接頭可彼此一體地形成。

根據襯底處理設備的另一實例，金屬導電接頭可具有一定曲率。

根據襯底處理設備的另一實例，金屬導電接頭可具有凹形形狀。

根據襯底處理設備的另一實例，襯底處理設備可進一步包括導電本體與導電突起之間的焊接接頭。

根據襯底處理設備的另一實例，焊接接頭可包括填角焊縫。

根據襯底處理設備的另一實例，填角焊縫可具有凹形形狀。

根據襯底處理設備的另一實例，導電本體、導電突起和焊接接頭中的至少一個可進一步包括受熱影響部分，且受熱影響部分可具有與導電本體、導電突起和焊接接頭不同的特性。

根據襯底處理設備的另一實例，導電本體可包括：多個第一聯接孔，多個第一聯接孔沿著與導電本體的中心分離開并且具有第一半徑的第一圓周形成；以及多個第二聯接孔，多個第二聯接孔沿著與導電本體的中心分離開并且具有大于第一半徑的第二半徑的第二圓周形成。

根據襯底處理設備的另一實例，導電本體和導電突起可以通過布置在第一聯接孔中的第一聯接單元固定到分隔件，并且導電本體和導電突起可以通過布置在第二聯接孔中的第二聯接單元進一步固定到分隔件。

根據襯底處理設備的另一實例，至少一個導電突起可在第二圓周上。

根據襯底處理設備的另一實例，導電本體可包括其中形成多個注入孔的第一表面和與第一表面相對的第二表面，且導電突起可從第二表面突出。

根據襯底處理設備的另一實例，導電突起可包括從第二表面延伸以穿過分隔件的端部部分。

根據襯底處理設備的另一實例，襯底處理設備可進一步包括電源部分，且導電突起的端部部分可電連接到電源部分。

根據襯底處理設備的另一實例，襯底處理設備可進一步包括布置成接觸分隔件的加熱單元、配置成測量加熱單元的第一部分的溫度的第一熱電偶，以及配置成測量加熱單元的第二部分的溫度的第二熱電偶。

根據襯底處理設備的另一實例，第一熱電偶和第二熱電偶可相對于加熱單元的中心對稱地布置。