[發明專利]原料供給裝置和成膜裝置

在審

• 申請號: 202110371103.9
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113529052A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 木元大壽;渡邊紀之;成嶋健索;關戶幸一;川口拓哉
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供能夠使成膜開始時的原料氣體的流量在短時間內變得穩定的技術。本發明的一方式的原料供給裝置包括：向處理容器內供給原料氣體的原料供給通路；設置于所述原料供給通路的閥；檢測所述原料供給通路內的壓力的壓力傳感器；與所述原料供給通路連接，對所述原料供給通路內的所述原料氣體進行排氣的原料排氣通路；設置于所述原料排氣通路，通過調節開度來控制所述原料供給通路內的壓力的開度調節機構；和基于所述壓力傳感器的檢測值來調節所述開度調節機構的所述開度的控制部。

技術領域

本發明涉及原料供給裝置和成膜裝置。

背景技術

已知有當向處理容器內間歇地供給原料氣體來形成膜時，在成膜之前不將原料氣體供給到處理容器內而間歇地排氣的技術(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-52346號公報。

發明內容

發明要解決的問題

本發明提供能夠使成膜開始時的原料氣體的流量在短時間內變得穩定的技術。

用于解決問題的技術手段

本發明的一方式的原料供給裝置包括：向處理容器內供給原料氣體的原料供給通路；設置于所述原料供給通路的閥；檢測所述原料供給通路內的壓力的壓力傳感器；與所述原料供給通路連接，對所述原料供給通路內的所述原料氣體進行排氣的原料排氣通路；設置于所述原料排氣通路，通過調節開度來控制所述原料供給通路內的壓力的開度調節機構；和基于所述壓力傳感器的檢測值來調節所述開度調節機構的所述開度的控制部。

發明效果

依照本發明，能夠使成膜開始時的原料氣體的流量在短時間內變得穩定。

附圖說明

圖1是表示具有實施方式的原料供給裝置的成膜裝置的一例的概略圖。

圖2是表示實施方式的成膜方法的一例的圖。

圖3是表示初始流量穩定化工序和成膜工序中的罐壓的變化的一例的圖。

圖4是表示成膜工序中的氣體供給流程的一例的圖。

附圖標記說明

1 處理容器

61 氣體供給管線

73 閥

80 貯存罐

80a 壓力傳感器

104 原料排氣通路

105 開度調節機構

120 閥開度控制部

Pt 目標值

W 晶片

具體實施方式

下面，參照附帶的附圖，對本發明的非限定性的例示的實施方式進行說明。在附帶的所有附圖中，對相同或者相應部件或者零件標注相同或者相應的附圖標記，并省略重復的說明。

〔成膜裝置〕

參照圖1，對具有實施方式的原料供給裝置的成膜裝置進行說明。圖1是表示具有實施方式的原料供給裝置的成膜裝置的一例的概略圖。實施方式的成膜裝置構成為能夠實施基于原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法的成膜和基于化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法的成膜的裝置。