[發(fā)明專利]一種倒裝LED芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110371016.3 | 申請日： | 2021-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN112768583B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 梁福盛;肖祖峰;黃嘉明;張超宇;丁亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山德華芯片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 伍傳松 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 倒裝 led 芯片 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種倒裝LED芯片及其制備方法，屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提出的倒裝LED芯片，包括ITO層，ITO層的一側(cè)具有粗糙表面；復(fù)合反射層，復(fù)合反射層包括沿粗糙表面依次疊加的銀鏡層、二氧化硅層和DBR層。本發(fā)明中，由于ITO層的粗糙表面，增加了ITO層與銀鏡層之間的粘結(jié)強(qiáng)度，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，ITO層與銀鏡層之間的金屬粘結(jié)層，節(jié)約了成本，提升了亮度；二氧化硅層，兼具絕緣層和銀鏡層的保護(hù)層的作用，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，金屬保護(hù)層的設(shè)置，節(jié)約了成本，增加了良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種倒裝LED芯片及其制備方法。
背景技術(shù)
正裝LED芯片會出現(xiàn)電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率的問題，因此芯片研發(fā)人員設(shè)計了倒裝結(jié)構(gòu)，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出(襯底最終被剝?nèi)ィ酒牧鲜峭该鞯?，該結(jié)構(gòu)在大功率芯片較多用到。
倒裝LED芯片具有以下顯著優(yōu)點，一是可通大電流使用；二是尺寸可以做到更小，光學(xué)更容易匹配；三是散熱功能的提升，使芯片的壽命得到了提升；四是抗靜電能力的提升；五是為后續(xù)封裝工藝發(fā)展打下基礎(chǔ)。
目前的倒裝LED芯片主要分兩種工藝方向，一種以DBR作為反射層，一種以銀鏡作為反射層。但這兩種反射層的倒裝LED芯片都有各自的缺點：DBR反射層膜質(zhì)比較脆，在切割崩裂時容易出現(xiàn)裂紋，進(jìn)而影響可靠性，同時DBR反射層的亮度較銀鏡反射層低；銀鏡反射層，膜質(zhì)比較容易氧化，因此必須添加金屬保護(hù)層以防止銀鏡反射層的氧化；此外，銀鏡層跟ITO層的粘附性不好，因此需要在兩者之間加上Ni金屬層作為過渡層，而Ni本身有吸光的效果，這降低了銀鏡的反射率，進(jìn)而導(dǎo)致了亮度的下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提出一種倒裝LED芯片，通過調(diào)整芯片結(jié)構(gòu)和制備工藝，在同時設(shè)置DBR反射層和銀鏡層的基礎(chǔ)上，省略了銀鏡層的金屬保護(hù)層，以及銀鏡層與ITO層之間的金屬粘結(jié)層，因此提高了所述倒裝LED芯片的亮度，同時簡化工藝、節(jié)約成本。
本發(fā)明還提出一種上述倒裝LED芯片的制備方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種倒裝LED芯片，包括，
ITO層，所述ITO層的一側(cè)具有粗糙表面；
復(fù)合反射層，所述復(fù)合反射層設(shè)于所述粗糙表面上，所述復(fù)合反射層包括沿所述粗糙表面依次疊加的銀鏡層、二氧化硅層和DBR層。
根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選的實施方式，至少具有以下有益效果：
（1）本發(fā)明中，由于ITO層的粗糙表面，增加了ITO層與銀鏡層之間的粘結(jié)強(qiáng)度，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，ITO層與銀鏡層之間的金屬粘結(jié)層，節(jié)約了成本。
（2）由于傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，金屬粘結(jié)層本身具有一定的吸光性，本發(fā)明省略了金屬粘結(jié)層，進(jìn)一步提升了倒裝LED芯片的亮度。
（3）本發(fā)明中，二氧化硅層，兼具絕緣層和銀鏡層的金屬保護(hù)層的作用，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中的金屬保護(hù)層，節(jié)約了成本。
（4）本發(fā)明中，二氧化硅層還具有絕緣作用，避免了倒裝LED芯片切割過程中，因DBR層崩裂而出現(xiàn)的漏電現(xiàn)象，增加了產(chǎn)品的良率。
（5）傳統(tǒng)銀鏡層的保護(hù)層為TiW層，該材質(zhì)進(jìn)行高溫合金反應(yīng)后容易因應(yīng)力不均而出現(xiàn)裂紋，本申請省略了金屬保護(hù)層，因此提升了成品率。
（6）本發(fā)明提供的復(fù)合反射層，將銀鏡層與DBR層復(fù)合使用，兩者發(fā)生協(xié)同作用，提升了倒裝LED芯片的亮度。
在本發(fā)明的一些實施方式中，所述ITO層厚度為30nm~45nm。
在本發(fā)明的一些實施方式中，所述銀鏡層厚度為150nm~200nm。
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