[發明專利]一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝在審
| 申請號: | 202110370964.5 | 申請日: | 2021-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN113173641A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 黃翀;黃東輝;劉超;徐靜斌;史群毓;馬俊偉;周天宇;馮超;蔣燕;凌銳;申晨希 | 申請(專利權)人: | 江蘇裕隆環保有限公司 |
| 主分類號: | C02F3/30 | 分類號: | C02F3/30;C02F101/16 |
| 代理公司: | 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331 | 代理人: | 劉靜宇 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 旁側 富集 實現 流程 厭氧氨 氧化 深度 工藝 | ||
1.一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝,其特征在于:具體工藝步驟如下:
S1、市政污水經組合格柵去除固體廢棄物,經沉砂池去除無機顆粒物后進入生化系統;
S2、經預處理后的污水進入厭氧池,厭氧池采用MBBR工藝,投加厭氧生物填料,其中泥齡較短的聚磷菌主要生長于絮體污泥中,泥齡較長的厭氧氨氧化菌主要生長于生物膜中;
S3、經充分釋磷后的污水進入缺氧池,缺氧池采用MBBR工藝,投加缺氧生物填料,厭氧氨氧化菌富集生長于生物膜中;
S4、經缺氧區后的污水進入好氧池,好氧池采用MBBR工藝,投加好氧生物填料,厭氧氨氧化菌富集生長于生物膜內層;
S5、好氧池出水進入二沉池,經沉淀后進入后續深度處理系統,經深度處理后達標排放。
S6、污泥發酵上清液經培菌池利用后仍含較高濃度的氮污染物,培菌池出水進入生化池厭氧區,進一步進行自養脫氮;
S7、培菌池采用MBBR工藝,培菌池內培養富集的富含厭氧氨氧化菌的填料定期投放至生化池各反應區,為生化池補充厭氧氨氧化菌種,提高生化池自養脫氮的能力。
2.根據權利要求1所述的一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝,其特征在于:S2工作原理為:首先,回流污泥中少量的硝態氮在短程反硝化菌的作用下利用污水中的有機物進行短程反硝化,生成亞硝態氮,隨后再利用污水中的氨氮進行厭氧氨氧化作用,在厭氧區初始階段利用自養脫氮去除一部分的總氮,然后,厭氧池內的聚磷菌利用污水中的有機物進行厭氧釋磷。
3.根據權利要求1所述的一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝,其特征在于:S3工作原理為:由好氧池回流的硝化液中的少量硝態氮在此區域內一部分經短程反硝化-厭氧氨氧化作用去除,一部分則經全程反硝化去除。
4.根據權利要求1所述的一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝,其特征在于:S4工作原理為:經缺氧區處理后污水中主要污染物為氨氮,這部分氨氮首先在生物膜外層氨氧化菌的作用下氧化為亞硝態氮,隨后與剩余的氨氮進入生物膜內層進行厭氧氨氧化反應進行自養脫氮,生成的少量硝態氮與亞硝酸鹽氧化菌氧化生成的少量硝態氮一同經硝化液回流進入缺氧區進行脫氮,從而實現生化系統全流程自養脫氮。
5.根據權利要求1所述的一種基于旁側富集實現全流程厭氧氨氧化的深度脫氮工藝,其特征在于:S5工作原理為:二沉池底部沉積污泥一部分經污泥回流泵回流至厭氧池維持生化系統生物濃度,另一部分進入污泥厭氧消化系統,經厭氧消化進行資源化、減量化,厭氧消化產生的沼氣經沼氣收集系統收集并經沼氣凈化系統處理后進行能源再利用,可用于沼氣發電或供暖,污泥消化上清液進入培菌池,用于厭氧氨氧化菌的培養,其中污泥消化上清液中富含氨氮,濃度可達1000-2000mg/L,可為厭氧氨氧化菌的生長提供充足的基質,且高濃度的氨氮可形成較高濃度的游離氨,對亞硝酸鹽氧化菌具有抑制作用,更有利于厭氧氨氧化作用的進行。
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