[發(fā)明專利]基于芴或茚并芴及噻吩端基大帶隙受體材料、制備方法及應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110370912.8 | 申請日: | 2021-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN113173929A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 白福錦;顏河 | 申請(專利權(quán))人: | 香港科技大學(xué)深圳研究院 |
| 主分類號: | C07D495/04 | 分類號: | C07D495/04;C07D495/22;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 深圳市惠邦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44271 | 代理人: | 滿群 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新科技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 噻吩 端基大帶隙 受體 材料 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種基于芴或者茚并芴以及噻吩端基的大帶隙非富勒烯受體材料,其特征在于,具有式⑴結(jié)構(gòu)的化合物,
其中:Ar1為選擇自如下的基團:
其中:R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10,各自獨立的選自H,C1-C30烷基,C3-C30環(huán)烷基,C1-C30烷氧基,C1-C30烷硫基,鹵代C1-C30烷基,鹵代C3-C30環(huán)烷基和鹵代C1-C30烷氧基,鹵代C1-C30烷硫基,其中所述C1-C30烷基,C3-C30環(huán)烷基,C1-C30烷氧基,C1-C30烷硫基,鹵代C1-C30烷基,鹵代C3-C30環(huán)烷基和鹵代C1-C30烷氧基,鹵代C1-C30烷硫基基團任選地被一個或者多個選自以下的基團取代:羥基,氰基,硝基和鹵素;
Ar2獨立選自如下的基團:
其中X,Y各自獨立的選擇于H,F(xiàn),Cl,Br,I,CN,SCN,C1-C30烷基,C3-C30環(huán)烷基,C1-C30烷氧基,C1-C30烷硫基,鹵代C1-C30烷基,鹵代C3-C30環(huán)烷基和鹵代C1-C30烷氧基,鹵代C1-C30烷硫基;
并且Z獨立的選擇于含有-O-,-S-,-Se,-Te-,-(NR)-的基團;
并且A,B各自的獨立選擇于如下基團:
其中R11,R12各自獨立選擇于H,C1-C30烷基,C3-C30環(huán)烷基,C1-C30烷氧基,C1-C30烷硫基,鹵代C1-C30烷基,鹵代C3-C30環(huán)烷基和鹵代C1-C30烷氧基,鹵代C1-C30烷硫基。
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