[發(fā)明專利]一種超薄晶圓的劃切方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110369726.2
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113172781A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張迪;邵俊永;王戰(zhàn);閆賀亮;陳月濤
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司
• 主分類號: B28D5/02
• 分類號: B28D5/02;H01L21/78
• 代理公司: 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙) 41104
• 代理人: 程世芳

1.一種超薄晶圓的劃切方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將晶圓背面貼上膠膜，放入60℃～80℃烘箱中烘烤10～30min；

（2）取出烘烤后的晶圓并自然冷卻至室溫，隨后將貼有膠膜的晶圓放置在劃片機的陶瓷工作盤上，并開啟真空；

（3）將劃片刀安裝在劃片機主軸上并完成修刀和測高程序；

（4）使用主軸轉(zhuǎn)速20000～40000r/min，進刀速度20～40mm/s的工藝參數(shù)對晶圓沿橫向即CH1方向進行劃切，步進間距為N*b，其中b表示晶粒寬度，N=2、3、4……；

（5）使用主軸轉(zhuǎn)速20000～40000r/min，進刀速度40～80mm/s的工藝參數(shù)對晶圓沿縱向即CH2方向進行劃切，步進間距為N*a，其中a表示晶粒長度，N=2、3、4……；

（6）使用主軸轉(zhuǎn)速20000～40000r/min，進刀速度20～40mm/s的工藝參數(shù)對晶圓CH3方向進行劃切，步進間距為（N-1）*b，其中b表示晶粒寬度，N=2、3、4……）；

（7）使用主軸轉(zhuǎn)速20000～40000r/min，進刀速度40～80mm/s的工藝參數(shù)對晶圓CH4方向進行劃切，步進間距為（N-1）*a，其中a表示晶粒長度，N=2、3、4……；

（8）重復(fù)執(zhí)行步驟4）和步驟5），直至晶圓劃切為芯粒目標尺寸a x b。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄晶圓的劃切方法，其特征在于：所述步驟（1）中的膠膜采用藍膜、白膜或UV膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄晶圓的劃切方法，其特征在于：步驟（4）和步驟（5）切過程中使用冷卻水對晶圓及劃片刀進行沖洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄晶圓的劃切方法，其特征在于：所述CH1與CH3相互平行，CH2與CH4相互平行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄晶圓的劃切方法，其特征在于：步驟（4）、（5）、（6）、（7）中進行劃切時，劃切深度為晶圓的實際厚度+0.03～0.04mm。