[發明專利]一種碳化硅切割用劃片結構及其在線修整方法

有效

• 申請號: 202110369700.8
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113172780B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 張迪;邵俊永;王戰;韓雪;閆賀亮;陳月濤
• 申請（專利權）人: 鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司
• 主分類號: B28D5/02
• 分類號: B28D5/02;H01L21/78
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 程世芳

1.一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于，其所采用的修整裝置包括環形修刀板，SiC晶圓位于環形修刀板的中心孔中并與環形修刀板間隙配合設置，且SiC晶圓與環形修刀板的外端面保持齊平設置，而SiC晶圓的后端面與環形修刀板的后端面均粘貼有膠膜并通過膠膜吸附于陶瓷工作盤上；修整方法包括以下步驟：

（1）制作劃片刀用環形修刀板，且其厚度與待切的SiC晶圓厚度保持一致；

（2）將SiC晶圓、環形修刀板、繃環同時粘貼在膠膜上，然后放置在劃片機的陶瓷工作盤上，開啟真空；

（3）將劃片刀安裝在劃片機主軸上并完成測高程序；

（4）設置劃片機主軸轉速20000～40000r/min，進刀速度5～20mm/s的工藝參數；

（5）對環形修刀板和SiC晶圓的橫向即CH1方向依次進行劃切；

（6）對環形修刀板和SiC晶圓的縱向即CH2方向依次進行劃切；

（7）劃切完畢。

2.根據權利要求1所述的一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于：所述環形修刀板外圍還設有限位繃環，且限位繃環的后端面粘貼于膠膜上。

3.根據權利要求1所述的一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于：所述膠膜為藍膜、白膜或UV膜。

4.根據權利要求1所述的一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于：步驟（5）和步驟（6）中劃切過程中均需使用冷卻水對SiC晶圓及劃片刀進行沖洗。

5.根據權利要求1所述的一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于：步驟（5）和步驟（6）中劃切過程中根據劃片刀磨損量定期進行自動非接觸測高。

6.根據權利要求1所述的一種碳化硅切割用劃片結構的在線修整方法，其特征在于：所述CH1與CH2方向互相垂直。