[發(fā)明專利]半導(dǎo)體熱處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110368215.9 | 申請日: | 2021-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN113186514B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 任攀;武鵬科 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 熱處理 設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,包括:
管體(100);
位于所述管體(100)內(nèi)的晶圓承載裝置(200)和注氣管(310);
所述注氣管(310)位于所述管體(100)的進氣端且位于所述晶圓承載裝置(200)的下方,在沿所述管體(100 )的軸線的正投影方向上,所述注氣管(310)的投影位于所述管體(100)的投影之內(nèi),且位于所述晶圓承載裝置(200)的投影之外;
進氣管(320),所述進氣管(320)的一端與供氣源相連通,所述進氣管的另一端與所述注氣管(310)相連通;
所述注氣管(310)間隔開設(shè)有兩個注氣孔組,兩個所述注氣孔組之間具有間隔管段,所述進氣管(320)與所述間隔管段相連通,所述間隔管段壓縮了所述注氣管(310)上開設(shè)的所述注氣孔組的區(qū)域,使得所述注氣孔組內(nèi)的多個注氣孔開設(shè)的位置相對集中;
每個所述注氣孔組均包括有多個注氣孔(314),所述注氣孔(314)在所述注氣管(310)上間隔分布,且所述注氣孔(314)的軸向與氣體在所述注氣管(310)內(nèi)的流動方向所成角度逐漸增大或逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述注氣管(310)為半環(huán)形結(jié)構(gòu),所述半環(huán)形結(jié)構(gòu)包括依次相連通的第一弧形段(311)、第二弧形段(312)和第三弧形段(313),所述間隔管段為所述第二弧形段(312),其中一個所述注氣孔組開設(shè)于所述第一弧形段(311),另一個所述注氣孔組開設(shè)于所述第三弧形段(313);所述進氣管(320)與所述第二弧形段(312)相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述半環(huán)形結(jié)構(gòu)的弧度大于等于240°,小于等于300°。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述第一弧形段(311)和所述第三弧形段(313)的弧度均為大于等于60°,小于等于120度,所述第二弧形段(312)的弧度為大于等于60°,小于等于120度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述進氣管(320)與所述第二弧形段(312)的連接處靠近所述第二弧形段(312)的中心位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述第二弧形段(312)包括依次相連的第一管段(3121)、緩沖管(3122)和第二管段(3123),所述第一弧形段(311)和所述緩沖管(3122)通過所述第一管段(3121)相連通,所述第三弧形段(313)和所述緩沖管 通過所述第二管段(3123)相連通,所述緩沖管(3122)與所述進氣管(320)相連通,所述第一管段(3121)的橫截面面積和所述第二管段(3123)的橫截面 面積均小于所述緩沖管(3122)的橫截面 面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述注氣孔組邊緣位置的所述注氣孔(314)的軸線與所述氣體在所述注氣管(310)內(nèi)的流動方向所成夾角大于等于15°,小于等于45°。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述注氣孔組內(nèi)的中心位置至少有一個所述注氣孔(314)的軸線與所述氣體在所述注氣管(310)內(nèi)的流動方向相垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述半導(dǎo)體熱處理設(shè)備還包括固定支架(400),所述固定支架(400)包括環(huán)形固定部(410)和支撐部(420),所述環(huán)形固定部(410)環(huán)繞所述管體(100)設(shè)置,所述支撐部(420)的一端與所述環(huán)形固定部(410)相連接,所述支撐部(420)的另一端伸入所述管體(100)內(nèi),用于支撐所述注氣管(310)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其特征在于,所述管體(100)包括內(nèi)管(120)和外管(110),所述外管(110)套設(shè)于所述內(nèi)管(120)之外,所述晶圓承載裝置(200)和所述注氣管均位于所述內(nèi)管(120)中,所述內(nèi)管(120)與所述外管(110)之間形成通氣通道(130),所述通氣通道(130)與所述內(nèi)管(120)相連通,所述外管(110)的側(cè)壁開設(shè)有排氣孔(111),所述排氣孔(111)與所述通氣通道(130)相連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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