[發明專利]用于沉積氧化硅膜的組合物和方法

在審

• 申請號: 202110368055.8
• 申請日: 2015-03-26
• 公開（公告）號: CN113088927A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: A·麥利卡爾珠南;H·錢德拉;蕭滿超;雷新建;K·S·卡思爾;M·L·奧尼爾
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐一琨

1.將包含硅和氧化物的膜沉積到襯底上的方法，所述方法包括以下步驟：

a)在反應器中提供襯底；

b)向所述反應器中引入包含具有下式A的化合物的至少一種硅前體：

R¹_nSi(NR²R³)_mH_4-m-n A

其中R¹獨立地選自直鏈C₁-C₆烷基、支鏈C₃-C₆烷基、C₃-C₆環烷基、C₂-C₆烯基、C₃-C₆炔基和C₄-C₁₀芳基；其中R²和R³各自獨立地選自氫、C₁-C₆直鏈烷基、支鏈C₃-C₆烷基、C₃-C₆環烷基、C₂-C₆烯基、C₃-C₆炔基和C₄-C₁₀芳基，其中在式A中R²和R³連接以形成環狀環結構，或R²和R³不連接以形成環狀環結構；n＝1、2或3；且m＝1或2；

c)用吹掃氣體吹掃所述反應器；

d)向所述反應器中引入含氧源；和

e)用吹掃氣體吹掃所述反應器；且

其中重復步驟b至e直到沉積所需的膜厚度；和

其中所述方法在約25℃-300℃范圍的一個或多個溫度下進行。

2.權利要求1的方法，其中所述化合物選自二甲基氨基三甲基硅烷、二異丙基氨基三甲基硅烷、哌啶子基三甲基硅烷、2,6-二甲基哌啶子基三甲基硅烷、二仲丁基氨基三甲基硅烷、異丙基-仲丁基氨基三甲基硅烷、叔丁基氨基三甲基硅烷、異丙基氨基三甲基硅烷、二乙基氨基二甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、二異丙基氨基二甲基硅烷、哌啶子基二甲基硅烷、2,6-二甲基哌啶子基二甲基硅烷、二仲丁基氨基二甲基硅烷、異丙基-仲丁基氨基二甲基硅烷、叔丁基氨基二甲基硅烷、異丙基氨基二甲基硅烷、叔戊基氨基二甲基氨基硅烷、二甲基氨基甲基硅烷、二異丙基氨基甲基硅烷、異丙基-仲丁基氨基甲基硅烷、2,6-二甲基哌啶子基甲基硅烷、二仲丁基氨基甲基硅烷、雙(二甲基氨基)甲基硅烷、雙(二乙基氨基)甲基硅烷、雙(二異丙基氨基)甲基硅烷、雙(異丙基-仲丁基氨基)甲基硅烷、雙(2,6-二甲基哌啶子基)甲基硅烷、雙(異丙基氨基)甲基硅烷、雙(異丁基氨基)甲基硅烷、雙(叔丁基氨基)甲基硅烷、雙(仲丁基氨基)甲基硅烷、雙(叔戊基氨基)甲基硅烷、雙(環己基氨基)甲基硅烷、雙(異丙基氨基)二甲基硅烷、雙(異丁基氨基)二甲基硅烷、雙(仲丁基氨基)二甲基硅烷、雙(叔丁基氨基)二甲基硅烷、雙(叔戊基氨基)二甲基硅烷、雙(環己基氨基)二甲基硅烷及其組合。

3.權利要求1或2的方法，其中所述含氧源選自臭氧、氧等離子體、包含氧和氬的等離子體、包含氧和氦的等離子體、臭氧等離子體、水等離子體、一氧化二氮等離子體、二氧化碳等離子體及其組合。

4.權利要求1-3任一項的方法，其中所述含氧源包含等離子體，任選地所述等離子體原位產生和/或遠程產生，優選地所述膜的密度為約2.1g/cc或更大。

5.權利要求1-4任一項的方法，其中所述膜進一步包含碳，優選地所述膜的密度為約1.8g/cc或更大，和/或優選地所述膜的碳含量為0.5原子重量百分比(at.％)或更高，如通過x射線光譜學測量的。