[發明專利]基片清潔方法在審
| 申請號： | 202110367937.2 | 申請日： | 2021-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN113113291A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 周俊;孫鵬;楊道虹 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清潔 方法 | ||
1.一種基片清潔方法，其特征在于，包括：
獲得半導體基片，所述半導體基片的待清潔面包括多晶硅暴露面；
在所述半導體基片上形成保護層，所述保護層至少覆蓋所述多晶硅暴露面；以及，
對覆蓋有所述保護層的半導體基片執行濕法清洗，所述濕法清洗采用的清洗液含有強氧化劑。
2.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述多晶硅暴露面區域的多晶硅為摻雜多晶硅。
3.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述保護層為氧化硅。
4.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述強氧化劑包括高錳酸鉀、濃硫酸、濃硝酸、稀硝酸、二氧化錳、三氯化鐵和雙氧水中的至少一種。
5.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述清洗液為SC1清洗液。
6.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，在執行所述濕法清洗之前，所述保護層覆蓋所述半導體基片的整個待清潔面。
7.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述保護層的厚度大于等于
8.如權利要求1所述的基片清潔方法，其特征在于，所述保護層采用快速熱氧化、濕法氧化及原位蒸汽生成中的至少一種形成。
9.如權利要求1至8任一項所述的基片清潔方法，其特征在于，在所述濕法清洗完成后，所述基片清潔方法還包括：
去除所述半導體基片上剩余的保護層。
10.如權利要求9所述的基片清潔方法，其特征在于，去除所述剩余的保護層采用濕法蝕刻或者干法蝕刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
