[發明專利]減少鄰近字線干擾的模糊精細程序序列的數據存儲設備在審
申請號: | 202110366993.4 | 申請日: | 2021-04-06 |
公開(公告)號: | CN113808645A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
發明(設計)人: | M.古普塔;P.R.Y.岡加瓦拉普;A.巴拉克里什南 | 申請(專利權)人: | 西部數據技術公司 |
主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 減少 鄰近 干擾 模糊 精細 程序 序列 數據 存儲 設備 | ||
本發明題為“具有用于減少鄰近字線干擾的模糊?精細程序序列的數據存儲設備”。本發明提供了一種存儲器控制器,在一個實施方案中,該存儲器控制器包括存儲器接口和控制器電路。該存儲器接口被配置為與具有多個字線的存儲器連接。該控制器電路被配置為使用模糊?精細編程對該多個字線的第一部分進行編程以存儲第一程序數據;使用該模糊?精細編程以非精細狀態對該多個字線中的一個或多個字線進行編程,該一個或多個字線與該第一部分鄰近;以及使用該模糊?精細編程對該多個字線的第二部分進行編程以存儲第二程序數據,該第二部分與該一個或多個字線鄰近。
背景技術
本申請整體涉及存儲器設備,并且更具體地講,涉及執行模糊-精細程序序列的存儲器設備中的控制器。
由于模糊-精細編程之間的更小閾值電壓Vt容限,會在例如BiCS4 X4四層單元(QLC)存儲器中出現失敗位計數的增加。在開放塊高溫條件下在邊緣字線(WL)處觀察到高失敗位計數(FBC),這是由于鄰近字線干擾(NWI)。
發明內容
本公開包括使用虛擬數據對與邊緣字線(本文稱為“WLn”)鄰近的字線(本文稱為“WLn+1”)進行編程或完全跳過對與WLn鄰近的WLn+1進行編程的設備、方法和裝置。本公開的設備、系統和裝置減少NWI。
例如,本公開的一個解決方案是在使用精細編程對WLn+1進行編程之前首先使用模糊編程對WLn+2進行編程。在該示例中,隨后使用WLn+2實現模糊-精細編程序列。
本公開的另一個解決方案是完全跳過WLn+1的編程并開始使用模糊-精細編程對WLn+2進行編程。在該示例中,使用WLn+2實現模糊-精細編程序列,這使WLn+1保留在擦除狀態。
本公開的模糊-精細編程減少邊緣字線(例如WLn)處的鄰近字線干擾。本公開的模糊-精細編程可在存儲器控制器的固件中實現。
本公開提供了一種存儲器控制器,在一個實施方案中,該存儲器控制器包括存儲器接口和控制器電路。該存儲器接口被配置為與具有多個字線的存儲器連接。該控制器電路被配置為使用模糊-精細編程對該多個字線的第一部分進行編程以存儲第一程序數據;使用該模糊-精細編程以非精細狀態對該多個字線中的一個或多個字線進行編程,該一個或多個字線與該第一部分鄰近;以及使用該模糊-精細編程對該多個字線的第二部分進行編程以存儲第二程序數據,該第二部分與該一個或多個字線鄰近。
本公開還提供了一種方法。在一個實施方案中,該方法包括使用控制器電路和模糊-精細編程對多個字線的第一部分進行編程以存儲第一程序數據。該方法包括使用控制器電路和模糊-精細編程以非精細狀態對該多個字線中的一個或多個字線進行編程,該一個或多個字線與第一部分鄰近。該方法還包括使用控制器電路和模糊-精細編程對該多個字線的第二部分進行編程以存儲第二程序數據,該第二部分與該一個或多個字線鄰近。
本公開還提供了一種裝置,在一個實施方案中,該裝置包括使用模糊-精細編程對多個字線的第一部分進行編程以使用模糊-精細編程來存儲第一程序數據的裝置;使用模糊-精細編程以非精細狀態對該多個字線中的一個或多個字線進行編程的裝置,該一個或多個字線與該第一部分鄰近;以及使用模糊-精細編程對該多個字線的第二部分進行編程以存儲第二程序數據的裝置,該第二部分與該一個或多個字線鄰近。
這樣,本公開的各個方面提供了至少存儲器設備及其設計和架構的技術領域方面的改進。本公開可以以各種形式體現,包括由計算機實現的方法控制的硬件或電路、計算機程序產品、計算機系統和網絡、用戶界面及應用編程接口;以及硬件實現的方法、信號處理電路、存儲器陣列、專用集成電路、現場可編程門陣列等。上述發明內容僅僅旨在給出本公開的各個方面的總體思路,并非以任何方式限制本公開的范圍。
附圖說明
圖1是根據本公開的一些實施方案的系統的框圖,該系統包括數據存儲設備,該數據存儲設備具有基于模糊-精細編程來存儲數據的存儲器。
圖2是示出相對于字線WL0至WL47的常規模糊-精細編程的表格。
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