[發(fā)明專利]透明微型顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110366664.X | 申請日: | 2021-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN113497081A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 權(quán)奎吾;崔正焄;崔財溶;李承峻 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 張亞峰 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 微型 顯示裝置 | ||
1.一種LED顯示裝置,包括:
在基板上的像素驅(qū)動電路;以及
電容器集成LED,連接到所述像素驅(qū)動電路,
其中,所述電容器集成LED具有有源層和設(shè)置在所述有源層下方的電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED顯示裝置,其中,所述基板包括透射區(qū)域和顯示區(qū)域,并且
其中,所述像素驅(qū)動電路和所述電容器集成LED位于所述顯示區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED顯示裝置,其中,包括所述基板、所述像素驅(qū)動電路和所述電容器集成LED的所述LED顯示裝置具有60%或更大的透射率和63%或更大的孔徑比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED顯示裝置,其中,所述電容器包括第一電容器電極、第二電容器電極和在所述第一電容器電極與所述第二電容器電極之間的電容器介電層,以及
其中,所述第二電容器電極比所述第一電容器電極更靠近所述有源層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED顯示裝置,其中,所述第一電容器電極或所述第二電容器電極是包括金(Au)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)或鉻(Cr)材料中的至少一種的反射電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED顯示裝置,其中,p型層、所述有源層、n型層和n型電極依次堆疊在所述第二電容器電極上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED顯示裝置,其中,所述第二電容器電極用作連接到所述p型層以施加電壓的p型電極,并且還用作所述電容器的一個電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED顯示裝置,還包括:
第一電壓線(Vcom),連接到所述n型電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED顯示裝置,其中,n型層設(shè)置在所述第二電容器電極上,
其中,n型電極和所述有源層位于所述n型層上方的同一層上,以及
其中,p型層和p型電極依次堆疊在所述有源層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED顯示裝置,還包括:
第一電壓線(Vcom),連接到所述n型電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動電路包括連接到所述第一電容器電極的開關(guān)薄膜晶體管或驅(qū)動薄膜晶體管,以及連接到所述第二電容器電極的開關(guān)薄膜晶體管或驅(qū)動薄膜晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動電路還包括感測薄膜晶體管,
其中,所述開關(guān)薄膜晶體管包括連接到第一柵極線的柵電極;連接到數(shù)據(jù)電壓線(Vdata)的漏電極;以及連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極和所述第一電容器電極的源電極,
其中,所述驅(qū)動薄膜晶體管包括連接到所述開關(guān)薄膜晶體管的源電極的柵電極;連接到第二電壓線(Vdd)的漏電極;以及連接到所述第二電容器電極的源電極,以及
其中,所述感測薄膜晶體管包括連接到第二柵極線的柵電極;連接到感測電壓線(Vref)的漏電極;以及連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管的源電極的源電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED顯示裝置,其中,所述電容器具有包括平坦頂部和陡峭側(cè)面的臺面形狀,使得所述第一電容器電極的高度與所述第二電容器電極的高度不同,并且其中,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極分別通過導(dǎo)體電連接到所述開關(guān)薄膜晶體管的源電極和所述驅(qū)動薄膜晶體管的源電極,并且
其中,所述導(dǎo)體包括由內(nèi)部聚合物芯和外部金屬層組成的凸塊球。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





