[發明專利]基于超聲震動式處理的半導體晶圓的清洗裝置和方法有效
申請號: | 202110365913.3 | 申請日: | 2021-04-06 |
公開(公告)號: | CN112735995B | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
發明(設計)人: | 錢誠;李剛;童建 | 申請(專利權)人: | 亞電科技南京有限公司;江蘇亞電科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 陳平 |
地址: | 210000 江蘇省南京市江寧區雙龍*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 基于 超聲 震動 處理 半導體 清洗 裝置 方法 | ||
本發明涉及半導體設備技術領域,具體地說,涉及基于超聲震動式處理的半導體晶圓的清洗裝置和方法。其包括清洗機,清洗機至少包括:清潔體,清潔體包括清潔箱,清潔箱設置有清洗槽,清潔箱設置有進水管,清洗槽設置有出水管,出水管設置有閥門,清洗槽設置有震動體,清潔箱連接有遮蔽體,遮蔽體包括頂板,頂板設置有扶手;安裝體,安裝體包括四號連接體,四號連接體設置有二號連接體,二號連接體設置有安裝槽,安裝槽安裝有固定體,固定體包括固定架,固定架設置有間距調節體,間距調節體包括調節桿,調節桿連接有接觸板。本發明主要提出一種可有效地清除殘留在晶圓上的微塵等雜質的清洗裝置及其清洗方法。
技術領域
本發明涉及半導體設備技術領域,具體地說,涉及基于超聲震動式處理的半導體晶圓的清洗裝置和方法。
背景技術
半導體晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅,硅晶棒在經過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。
在半導體晶圓制造過程中,要避免塵粒、金屬的污染,否則會造成晶片內電路功能的損壞從而導致集成電路的失效,因此在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,提出一種可有效地清除殘留在晶圓上的微塵等雜質的清洗裝置及其清洗方法。
發明內容
本發明的目的在于提供基于超聲震動式處理的半導體晶圓的清洗裝置和方法,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本發明目的之一在于,提供了基于超聲震動式處理的半導體晶圓的清洗裝置,包括用于清洗晶圓的清洗機,所述清洗機至少包括:
清潔體,所述清潔體包括清潔箱,所述清潔箱內設置有清洗槽,所述清潔箱的表面設置有進水管,所述進水管與所述清洗槽相連通,所述清洗槽的底部設置有出水管,所述出水管設置有閥門,所述清洗槽內設置有震動體,所述清潔箱的頂部連接有遮蔽體,所述遮蔽體包括與所述清潔箱相連接的頂板,所述頂板設置有扶手;
安裝體,所述安裝體包括位于所述清洗槽內的四號連接體,所述四號連接體內設置有二號連接體,所述二號連接體設置有安裝槽,所述安裝槽內安裝有固定體,所述固定體包括位于所述安裝槽內的固定架,所述固定架設置有間距調節體,所述間距調節體包括與所述固定架相連接的調節桿,所述調節桿連接有接觸板;
所述震動體包括超聲發生器,所述超聲發生器頂部設置有多個超聲換能器,所述超聲換能器頂部連接有震動面鋼板;
所述清洗槽的底部設置有固定槽,所述超聲發生器的底部設置有固定腳,所述固定腳與所述固定槽插接配合;
所述四號連接體的表面設置有一號連接槽,所述一號連接槽為“T”型結構凹槽,所述清洗槽內相應設置有一號連接體,所述一號連接體為“T”型圓柱體結構凸起,所述一號連接體與所述一號連接槽滑動連接,所述四號連接體的表面開設有握槽。
作為本技術方案的進一步改進,所述一號連接槽為“T”型結構凹槽,所述清洗槽內相應設置有一號連接體,所述一號連接體為“T”型圓柱體結構凸起。
作為本技術方案的進一步改進,所述清洗槽的頂部設置有封閉槽,所述頂板的底部設置有封閉體,所述封閉體與所述頂板的形狀相吻合,所述封閉體的表面設置有橡膠墊。
作為本技術方案的進一步改進,所述四號連接體開設有多個貫穿其表面的流通口,所述流通口為圓形穿口。
作為本技術方案的進一步改進,所述固定架設置有貫穿其表面的二號連接槽,所述二號連接槽為內有螺紋的圓形穿口,所述調節桿的表面相應設置有螺紋,所述二號連接槽與所述調節桿相螺紋連接。
作為本技術方案的進一步改進,所述調節桿設置有三號連接體,所述接觸板設置有三號連接槽,所述三號連接體與所述三號連接槽轉動連接,所述接觸板設置有限定桿,所述固定架相應設置有貫穿其表面的限定穿口,所述限定穿口為圓形穿口,所述限定桿與所述限定穿口插接配合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造