[發(fā)明專利]一種低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110365760.2
• 申請日: 2021-04-06
• 公開（公告）號: CN113131219A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉水;許鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：從上而下依次包括頂層石英襯底層、頂層金屬層、液晶層、底層金屬層和底層石英襯底層；所述頂層金屬層鍍膜在頂層石英襯底層的下表面上，底層金屬層鍍膜在底層石英層的上表面上；所述頂層金屬層包括按陣列排布的超表面單元，所述超表面單元包括子單元和設(shè)置在子單元上的諧振結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述子單元為兩個，兩個子單元上的諧振結(jié)構(gòu)諧振頻率不同，由兩組控制信號分別控制。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述諧振結(jié)構(gòu)包括一個矩形和一個矩形環(huán)，矩形環(huán)設(shè)置在矩形的周圍，矩型和矩形環(huán)的幾何中心與各自的子單元幾何中心重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：矩形環(huán)的寬度與矩形環(huán)跟矩形的間距相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述頂層金屬層包括饋線A，兩組諧振結(jié)構(gòu)通過饋線A聯(lián)通，相鄰的超表面單元通過饋線A聯(lián)通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述底層金屬層包括金屬條，金屬條方向與頂層金屬層饋線方向相同，金屬條長度與超表面單元的邊長相同，金屬條寬度為超表面單元邊長的整數(shù)倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述底層金屬層為交指結(jié)構(gòu)，所述交指結(jié)構(gòu)分別連接饋線B和饋線C，饋線B控制陣列中每一行相同的一組諧振結(jié)構(gòu)，饋線C控制陣列中每一行相同的另外一組諧振結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低副瓣的1-bit太赫茲液晶超表面，其特征在于：所述頂層石英層與底層石英層之間放置墊片，所述墊片與頂層石英層、底層石英層組成液晶盒，在液晶盒中灌注液晶后形成液晶層。