[發明專利]一種L型開路枝節帶阻濾波器

在審

• 申請號: 202110365079.8
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113285190A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 王鳳娟;李瑞奇;余寧梅;楊媛;朱樟明;尹湘坤
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01P1/208
• 分類號: H01P1/208
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 燕肇琪

本發明公開了一種L型開路枝節帶阻濾波器，主線的上方和下方均設置有諧振腔，主線的上方有兩個諧振腔，主線上方兩個諧振腔分別位于主線的兩端上方，主線下方設置有一個諧振腔，主線下方的諧振腔位于主線上方兩個諧振腔之間，主線的兩端分別設置有輸出端和輸入端。具有集成度高、減小互聯長度的特點。

技術領域

本發明屬于三維集成電路技術領域，涉及一種L型開路枝節帶阻濾波器。

背景技術

濾波器是一種選頻裝置，可以使信號中特定的頻率成分通過，而極大地衰減其他頻率成分。利用濾波器的這種選頻作用，可以濾除干擾噪聲或進行頻譜分析。帶阻濾波器的基本結構單元為具有阻帶特性的諧振單元。帶阻濾波器能通過大多數頻率分量、但將某些范圍的頻率分量衰減到極低水平的濾波器，與帶通濾波器的概念相對。

硅通孔技術(Through Silicon Via，TSV)是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容或者電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。

發明內容

本發明的目的是提供一種L型開路枝節帶阻濾波器，具有集成度高、減小互聯長度的特點。

本發明所采用的技術方案是，一種L型開路枝節帶阻濾波器，主線的上方和下方均設置有諧振腔，主線的上方有兩個諧振腔，主線上方兩個諧振腔分別位于主線的兩端上方，主線下方設置有一個諧振腔，主線下方的諧振腔位于主線上方兩個諧振腔之間，主線的兩端分別設置有輸出端和輸入端。

本發明的特點還在于：

諧振腔包括TSV柱，TSV柱連接有RDL金屬線，RDL金屬線與TSV柱相垂直。

TSV柱的中心為銅，銅的外壁包裹有鈦，鈦的外壁包裹有二氧化硅。

主線的外壁包裹有二氧化硅，RDL金屬線的外壁包括有二氧化硅。

主線為RDL金屬線。

TSV柱位于硅襯底上。

本發明的有益效果是：本發明一種L型開路枝節帶阻濾波器，目的是提高集成度，減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容或者電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。在與TSV技術兼容后，不僅可作為單獨元器件使用，也可以作為三維集成的轉接板，使芯片通過該基板上的RDL層進行互聯,并通過TSV垂直互聯進行層間信號傳輸，進一步實現高集成度的三維疊層封裝。相對于傳統的微帶線結構減小尺寸，降低功耗，減小信號的延遲同時也增加了諧振腔之間的耦合。

附圖說明

圖1是本發明一種L型開路枝節帶阻濾波器的立體圖；

圖2是本發明一種L型開路枝節帶阻濾波器的二維視圖；

圖3是本發明一種L型開路枝節帶阻濾波器中TSV柱的結構示意圖。

圖中，1.TSV柱，2.RDL金屬線，3.二氧化硅，4.硅襯底，5.鈦，6.銅。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本發明進行詳細說明。

本發明一種L型開路枝節帶阻濾波器，如圖1所示，主線的上方和下方均設置有諧振腔，主線的上方有兩個諧振腔，主線上方兩個諧振腔分別位于主線的兩端上方，主線下方設置有一個諧振腔，主線下方的諧振腔位于主線上方兩個諧振腔之間，主線的兩端分別設置有輸出端和輸入端。如圖2所示，諧振腔包括TSV柱1，TSV柱1連接有RDL金屬線2，RDL金屬線2與TSV柱1相垂直。如圖3所示，TSV柱1的中心為銅6，銅6的外壁包裹有鈦5，鈦5的外壁包裹有二氧化硅3。主線的外壁包裹有二氧化硅3，RDL金屬線2的外壁包括有二氧化硅3。主線為RDL金屬線2。TSV柱1位于硅襯底4上。