[發(fā)明專利]一種碳化硅晶體制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110364841.0
• 申請(qǐng)日: 2021-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN113089085B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宇;楊田;梁振興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 眉山博雅新材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B23/00
• 分類號(hào): C30B23/00;C30B29/36;G01J5/00
• 代理公司: 成都七星天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51253
• 代理人: 嚴(yán)芳芳

1.一種碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述方法包括：

將碳化硅籽晶置于生長(zhǎng)腔體頂部；

將加熱組件中的多個(gè)加熱單元安裝在所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)部，其中，所述多個(gè)加熱單元沿所述生長(zhǎng)腔體的軸向方向間隔分布在所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)部；

將至少部分源材料置于至少部分所述加熱單元上表面，其中，

所述加熱單元包括至少一個(gè)流通通道，所述至少一個(gè)流通通道貫穿所述加熱單元；

在所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)生長(zhǎng)碳化硅晶體，碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的徑向溫差不超過碳化硅晶體生長(zhǎng)溫度的第一預(yù)設(shè)范圍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的徑向溫差不超過碳化硅晶體生長(zhǎng)溫度的第一預(yù)設(shè)范圍包括：

在碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中，基于溫度傳感組件獲得的碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的溫度控制所述加熱組件中的至少一個(gè)加熱單元的至少一個(gè)參數(shù)，使碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的徑向溫差不超過碳化硅晶體生長(zhǎng)溫度的第一預(yù)設(shè)范圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

在碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中，基于溫度傳感組件獲得的碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的溫度控制所述加熱組件中的至少一個(gè)加熱單元的至少一個(gè)參數(shù)，使碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)所述生長(zhǎng)腔體內(nèi)的軸向溫度梯度維持穩(wěn)定。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述碳化硅籽晶至少通過拼接處理和縫隙生長(zhǎng)制得。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，進(jìn)行所述縫隙生長(zhǎng)的晶面族相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，

所述相同晶面族通過對(duì)多個(gè)待擴(kuò)徑六方晶型碳化硅籽晶分別進(jìn)行第一切割得到。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，

所述拼接處理包括：以經(jīng)過所述第一切割得到的一個(gè)正六邊形六方晶型碳化硅籽晶為中心，所述為中心的正六邊形六方晶型碳化硅籽晶的六條邊分別與六個(gè)不同的正六邊形六方晶型碳化硅籽晶的各一條邊拼接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述為中心的正六邊形六方晶型碳化硅籽晶的表面積為所述碳化硅籽晶的表面積的25%-55%。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，

在進(jìn)行所述縫隙生長(zhǎng)之前，所述方法還包括：

對(duì)進(jìn)行所述拼接處理得到的多個(gè)正六邊形六方晶型碳化硅籽晶進(jìn)行第二切割，所述第二切割包括：

以所述為中心的正六邊形六方晶型碳化硅籽晶的中心點(diǎn)為圓心，以設(shè)定半徑為半徑，進(jìn)行圓形切割。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅晶體制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

對(duì)所述縫隙生長(zhǎng)得到的六方晶型碳化硅籽晶中間體進(jìn)行外延生長(zhǎng)。