[發明專利]散熱芯片及其制備方法有效
| 申請號： | 202110364825.1 | 申請日： | 2021-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN112736050B | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 張鵬;默蓬勃;伊波力;郭雙江 | 申請（專利權）人： | 曙光數據基礎設施創新技術（北京）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/42 | 分類號： | H01L23/42;G06F1/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 董艷芳 |
| 地址： | 100082 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 散熱 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種散熱芯片的制備方法，其特征在于，包括：
將待處理芯片固定在冷卻裝置上；
按照預先設置的刻蝕圖案，采用激光器對所述待處理芯片進行循環刻蝕，得到散熱芯片；所述散熱芯片包括芯片基體層和微納散熱結構層，所述微納散熱結構層形成于所述芯片基體層的表面；所述微納散熱結構層包括微米散熱結構和微納粗糙結構，所述微納粗糙結構形成于所述微米散熱結構的四壁上；
在將待處理芯片固定在冷卻裝置上之前，所述方法還包括：
將封裝好的芯片表面清洗并擦拭干凈，得到待處理芯片；
按照預先設置的刻蝕圖案，采用激光器對所述待處理芯片進行循環刻蝕，得到散熱芯片的步驟，包括：
在PLC中編程得到刻蝕圖案；
按照所述刻蝕圖案設定的參數對所述冷卻裝置上的待處理芯片進行激光刻蝕，直至刻蝕深度達到要求的深度終止刻蝕；
對刻蝕完成后的芯片進行清洗，得到所述散熱芯片；
所述方法還包括：
在對所述待處理芯片進行循環刻蝕的過程中，通過溫度傳感器檢測所述待處理芯片的表面溫度；其中，所述溫度傳感器埋設于所述待處理芯片的邏輯電路層中；
根據所述待處理芯片的表面溫度，控制所述冷卻裝置的制冷參數。
2.根據權利要求1所述的散熱芯片的制備方法，其特征在于，將待處理芯片固定在冷卻裝置上的步驟，包括：
通過導熱界面材料將所述待處理芯片粘結在所述冷卻裝置上，其中，所述冷卻裝置包括液冷板、半導體制冷器或均溫板。
3.根據權利要求1或2所述的散熱芯片的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
在對所述待處理芯片進行循環刻蝕的過程中，通過除塵裝置除去激光刻蝕產生的廢渣和煙氣。
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