[發明專利]一種六方晶型籽晶的制備方法

有效

• 申請號: 202110363902.1
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113089084B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 王宇;楊田;梁振興
• 申請（專利權）人: 眉山博雅新材料股份有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 成都七星天知識產權代理有限公司 51253
• 代理人: 嚴芳芳

1.一種六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

對多個待擴徑六方晶型籽晶分別進行第一切割，得到切割面為相同晶面族的多個正六邊形六方晶型籽晶；所述第一切割的切割方向為垂直于籽晶(0001)面的方向；

將所述多個正六邊形六方晶型籽晶的切割面進行拼接；其中，

以一個所述正六邊形六方晶型籽晶為中心，所述為中心的正六邊形六方晶型籽晶的六條邊分別與六個不同的所述正六邊形六方晶型籽晶的各一條邊拼接；

所述為中心的正六邊形六方晶型籽晶的表面積為目標六方晶型籽晶的表面積的25％-55％；

對拼接的所述多個正六邊形六方晶型籽晶進行第二切割，得到待生長六方晶型籽晶；

在第一設定條件下，對所述待生長六方晶型籽晶進行縫隙生長，得到六方晶型籽晶中間體；以及

在第二設定條件下，對所述六方晶型籽晶中間體進行外延生長，得到目標六方晶型籽晶，其中，

所述目標六方晶型籽晶的直徑大于所述待擴徑六方晶型籽晶的直徑。

2.根據權利要求1所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述晶面族為或

3.根據權利要求1所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述對拼接的所述多個正六邊形六方晶型籽晶進行第二切割包括：

以所述為中心的正六邊形六方晶型籽晶的中心點為圓心，以設定半徑為半徑，進行圓形切割。

4.根據權利要求1所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述第一設定條件包括第一設定溫度、第一設定壓力、第一設定碳硅比和設定縫隙生長時間，其中，

所述第一設定溫度在1000℃-2000℃范圍內，

所述第一設定壓力在10Pa-1000Pa范圍內，以及

所述第一設定碳硅比在1.0-10.0范圍內。

5.根據權利要求1所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述第二設定條件包括第二設定溫度、第二設定壓力和第二設定碳硅比，其中，

所述第二設定溫度在1100℃-2000℃范圍內，

所述第二設定壓力在10Pa-1000Pa范圍內，以及

所述第二設定碳硅比在0.1-2范圍內。

6.根據權利要求1所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

進行所述縫隙生長之前，在第三設定條件下對所述待生長六方晶型籽晶進行原位刻蝕。

7.根據權利要求6所述的六方晶型籽晶的制備方法，其特征在于，所述第三設定條件包括通入設定流量的設定氣體、第三設定溫度和第三設定壓力，其中，

所述設定氣體包括氫氣，所述設定流量在5L/min-200L/min范圍內，

所述第三設定溫度在1200℃-1500℃范圍內，以及

所述第三設定壓力在1kPa-12kPa范圍內。