[發(fā)明專利]一種雙電源電壓跨導(dǎo)校準(zhǔn)低功耗的低噪聲放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110363502.0 | 申請日: | 2021-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN113271068B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉簾曦;孫劉昭宇;廖栩鋒;馬健;朱樟明 | 申請(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長春 |
| 地址: | 710000 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙電源 電壓 校準(zhǔn) 功耗 低噪聲放大器 | ||
1.一種雙電源電壓跨導(dǎo)校準(zhǔn)低功耗的低噪聲放大器,其特征在于,所述低噪聲放大器包括PTAT電流產(chǎn)生電路模塊(1)、偏置調(diào)節(jié)電路模塊(2)和低噪聲放大器核心電路模塊(3),所述PTAT電流產(chǎn)生電路模塊(1)、所述偏置調(diào)節(jié)電路模塊(2)和所述低噪聲放大器核心電路模塊(3)依次連接,其中,
所述PTAT電流產(chǎn)生電路模塊(1),用于產(chǎn)生PTAT電流;
所述偏置調(diào)節(jié)電路模塊(2),用于根據(jù)復(fù)制的低噪聲放大器核心電路模塊(3)中的共柵組態(tài)放大器(302)的電流ILNA和所述PTAT電流調(diào)節(jié)低噪聲放大器的偏置電壓VBIAS,以對所述低噪聲放大器進(jìn)行偏置,使所述低噪聲放大器的跨導(dǎo)為常數(shù);
所述低噪聲放大器核心電路模塊(3),用于在所述低噪聲放大器的跨導(dǎo)為常數(shù)后,采用片內(nèi)巴倫結(jié)構(gòu)將輸入信號(VIN)轉(zhuǎn)為差分輸入信號(VIN),并提供增益以增加所述低噪聲放大器的輸入阻抗;
所述PTAT電流產(chǎn)生電路模塊(1)包括PTAT核心電路(101)和箝位運(yùn)放(102),其中,
所述PTAT核心電路(101)連接所述偏置調(diào)節(jié)電路模塊(2),所述PTAT核心電路(101)用于產(chǎn)生PTAT電流;
所述箝位運(yùn)放(102)連接所述PTAT核心電路(101),所述箝位運(yùn)放(102)用于使所述PTAT核心電路(101)的節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B的電壓相等,所述節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B分別為所述PTAT核心電路(101)中用于提供偏置電流的第三PMOS管(PM3)、第四PMOS管(PM4)的漏端電壓的位置;
所述偏置調(diào)節(jié)電路模塊(2)包括偏置調(diào)節(jié)核心電路(201)、偽共源共柵電流鏡(202)和電流復(fù)制電路(203),其中,
所述電流復(fù)制電路(203)連接所述PTAT核心電路(101)和所述共柵組態(tài)放大器(302),所述電流復(fù)制電路(203)用于復(fù)制所述電流ILNA與所述PTAT電流;
所述偽共源共柵電流鏡(202)連接所述電流復(fù)制電路(203),所述偽共源共柵電流鏡(202)用于將所述電流ILNA箝位到與所述PTAT電流相等,調(diào)節(jié)所述偏置調(diào)節(jié)核心電路(201)產(chǎn)生的偏置電壓VBIAS,以偏置所述共柵組態(tài)放大器(302),使所述低噪聲放大器的跨導(dǎo)為常數(shù);
所述偏置調(diào)節(jié)核心電路(201)連接所述偽共源共柵電流鏡(202)和所述共柵組態(tài)放大器(302),所述偏置調(diào)節(jié)核心電路(201)用于將復(fù)制的所述共柵組態(tài)放大器(302)的電流ILNA和所述PTAT電流進(jìn)行處理產(chǎn)生偏置電壓VBIAS,以對所述共柵組態(tài)放大器(302)進(jìn)行偏置。
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