[發(fā)明專利]一種聲音探測器件及其制備方法有效
申請?zhí)枺?/td> | 202110363361.2 | 申請日: | 2021-04-02 |
公開(公告)號: | CN113086941B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙天石;趙春;趙策洲;劉伊娜;楊莉 | 申請(專利權(quán))人: | 西交利物浦大學(xué) |
主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02 |
代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聲音 探測 器件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種聲音探測器件及其制備方法。該聲音探測器件包括:襯底基板;突觸晶體管,位于所述襯底基板的一側(cè);所述突觸晶體管包括柵極、源極和漏極、位于所述柵極與所述源極和漏極之間的電荷存儲層、位于電荷存儲層與柵極之間的絕緣層、以及位于電荷存儲層與源極和漏極之間的溝道層,且源極和漏極分別與溝道層電連接;納米摩擦發(fā)電機(jī),位于襯底基板的一側(cè);納米摩擦發(fā)電機(jī)包括相對設(shè)置的正摩擦層和負(fù)摩擦層;正摩擦層與柵極電連接;納米摩擦發(fā)電機(jī)用于在聲波的驅(qū)動下,控制正摩擦層與負(fù)摩擦層接觸或分離。本技術(shù)方案通過將突觸晶體管和納米摩擦發(fā)電機(jī)結(jié)合實(shí)現(xiàn)了聲音探測器件的自驅(qū)動,降低了聲音探測器件的功耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及微電子器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種聲音探測器件及其制備方法。
背景技術(shù)
生物聽覺系統(tǒng)可以檢測、處理和存儲聲音信號。目前,使用微電子器件系統(tǒng)模擬生物聽覺系統(tǒng)的人工突觸系統(tǒng)逐漸成為科研人員的研究熱點(diǎn)。為了使微電子器件能夠模擬生物的聽覺,需要利用突觸晶體管等微電子器件存儲、處理聲音信號的功能。但現(xiàn)有技術(shù)中仿生系統(tǒng)的突觸晶體管大多需要外部供電,這樣會增加突觸晶體管等微電子器件額外的能耗。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種聲音探測器件及其制備方法,實(shí)現(xiàn)了聲音探測器件的自驅(qū)動設(shè)計,降低了聲音探測器件的功耗。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種聲音探測器件,該聲音探測器件包括:
襯底基板;
突觸晶體管,位于所述襯底基板的一側(cè);所述突觸晶體管包括柵極、源極和漏極、位于所述柵極與所述源極和漏極之間的電荷存儲層、位于所述電荷存儲層與所述柵極之間的絕緣層、以及位于所述電荷存儲層與源極和漏極之間的溝道層,且所述源極和所述漏極分別與所述溝道層電連接;
納米摩擦發(fā)電機(jī),位于所述襯底基板的一側(cè);所述納米摩擦發(fā)電機(jī)包括相對設(shè)置的正摩擦層和負(fù)摩擦層;所述正摩擦層與所述柵極電連接;所述納米摩擦發(fā)電機(jī)用于在聲波的驅(qū)動下,控制所述正摩擦層與所述負(fù)摩擦層接觸或分離。
可選的,所述電荷存儲層包括電荷俘獲層和隧穿層;
所述電荷俘獲層用于在所述柵極產(chǎn)生偏壓時,向所述隧穿層提供載流子;
所述隧穿層用于積累所述載流子,并將所述載流子存儲至所述溝道層。
可選的,所述隧穿層包括第一隧穿層和第二隧穿層;
所述電荷俘獲層設(shè)置于所述第一隧穿層和第二隧穿層之間。
可選的,所述電荷俘獲層包括二維鈦化碳氮材料;所述隧穿層包括氧化鈦材料。
可選的,所述正摩擦層與所述柵極同層設(shè)置且為一體結(jié)構(gòu)。
可選的,所述納米摩擦發(fā)電機(jī)還包括負(fù)摩擦電極;
所述負(fù)摩擦電極與所述負(fù)摩擦層接觸且位于所述負(fù)摩擦層背離所述正摩擦層的一側(cè)。
可選的,所述柵極、所述正摩擦層、所述源極和所述漏極的材料均包括ITO材料。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種聲音探測器件的制備方法,用于制備上述第一方面所述的聲音探測器件,該制備方法包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上分別形成突觸晶體管和納米摩擦發(fā)電機(jī);
其中,所述突觸晶體管包括柵極、源極和漏極、位于所述柵極與所述源極和漏極之間的電荷存儲層、位于所述電荷存儲層與所述柵極之間的絕緣層、以及位于所述電荷存儲層與源極和漏極之間的溝道層,且所述源極和所述漏極分別與所述溝道層電連接;所述納米摩擦發(fā)電機(jī)包括相對設(shè)置的正摩擦層和負(fù)摩擦層;所述正摩擦層與所述柵極電連接;所述納米摩擦發(fā)電機(jī)用于在聲波的驅(qū)動下,控制所述正摩擦層與所述負(fù)摩擦層接觸或分離。
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