[發(fā)明專利]適用于相變存儲器的相變材料及相變存儲器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110363018.8
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113140674A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 馬平;李響;陳鑫
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種適用于相變存儲器的相變材料，其特征在于，所述相變材料包括：相變層和超晶格夾層；所述相變層與所述超晶格夾層形成超晶格結構，所述相變層包括銻原子Sb；在所述相變層在晶體狀態(tài)及非晶體狀態(tài)之間轉換時，所述超晶格夾層處于晶體狀態(tài)。

2.根據(jù)權利要求1所述的相變材料，其特征在于，所述超晶格夾層與相變層交替排布，所述超晶格夾層與所述相變層存之間形成多個交界面，在所述相變層轉化為晶體狀態(tài)時，在所述交界面的位置所述超晶格夾層為所述相變層提供核點。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的相變材料，其特征在于，第一晶格常數(shù)與第二晶格參數(shù)的差值小于或等于晶格參數(shù)閾值，所述第一晶格常數(shù)為所述超晶格夾層的晶格常數(shù)，所述第二晶格常數(shù)為相變層的晶格常數(shù)。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的相變材料，其特征在于，第一原子半徑與第二原子半徑的差值小于或等于原子半徑閾值，所述第一原子半徑為所述超晶格夾層包含原子的原子半徑，所述第二原子半徑為相變層包含原子的原子半徑。

5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的相變材料，其特征在于，所述超晶格夾層不具有相變性能，所述超晶格夾層的熔點大于所述相變層的熔點。

6.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的相變材料，其特征在于，所述超晶格夾層具有相變性能，所述超晶格夾層的相變溫度大于所述相變層的相變溫度，所述超晶格夾層的相變溫度大于所述相變層的熔點。

7.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的相變材料，其特征在于，所述相變層還包括碲原子Te，所述超晶格夾層包括碲原子Te。

8.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的相變材料，其特征在于，所述相變層還包括碲原子Te，所述超晶格夾層包括碲原子Te及鈧原子Sc。

9.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的相變材料，其特征在于，所述相變層的厚度大于等于1nm，小于等于10nm。

10.一種相變存儲器，包括多個相變存儲單元，每個相變存儲單元包括權利要求1-9任一項所述的相變材料、第一電極和第二電極，所述第一電極與所述第二電極通過所述相變材料連接。