[發(fā)明專利]一種薄膜天線、顯示模組及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110362865.2 | 申請日: | 2021-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN113067141B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 谷朋浩;王鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/22;H01Q1/08;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 天線 顯示 模組 顯示裝置 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N薄膜天線、顯示模組及顯示裝置,其中,薄膜天線包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,薄膜天線包括:層疊設(shè)置的天線功能層、第一膜層和引線層;其中,天線功能層包括天線線圈,天線線圈位于第一區(qū)域內(nèi),引線層包括引線以及連接引線的端子,端子位于第二區(qū)域內(nèi),引線與天線線圈通過設(shè)置在第一膜層上的過孔連接。本實(shí)施例提供的薄膜天線可以貼附在顯示面板的背面,天線與顯示面板之間無需設(shè)置屏蔽信號的中框等部件,因此,在屏幕側(cè)就可以直接使用天線功能。對于屏幕外折的終端設(shè)備,在折疊狀態(tài)下就可以直接進(jìn)行NFC識別等,提高使用便利性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種薄膜天線、顯示模組及顯示裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)有移動終端中設(shè)置有各種天線,如NFC天線、無線充電天線等。這些天線通常是固定在移動終端的后蓋或主板等位置,天線與屏幕之間設(shè)置有中框等部件。由于金屬中框?qū)μ炀€信號的屏蔽作用,因此,對于屏幕外折的終端設(shè)備,在需要使用天線功能如進(jìn)行NFC識別時(shí)必須展開屏幕,使用極不方便。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N薄膜天線、顯示模組及顯示裝置,以實(shí)現(xiàn)屏幕側(cè)的天線功能。
為了解決上述問題,本申請公開了一種薄膜天線,包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述薄膜天線包括:層疊設(shè)置的天線功能層、第一膜層和引線層;
其中,所述天線功能層包括天線線圈,所述天線線圈位于所述第一區(qū)域內(nèi),所述引線層包括引線以及連接所述引線的端子,所述端子位于所述第二區(qū)域內(nèi),所述引線與所述天線線圈通過設(shè)置在所述第一膜層上的過孔連接。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述引線包括第一引線和第二引線,所述端子包括第一端子和第二端子;
其中,所述第一引線的第一端連接所述第一端子,第二端連接所述天線線圈的首端;所述第二引線的第一端連接所述第二端子,第二端連接所述天線線圈的尾端。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,在所述天線功能層背離所述引線層的一側(cè)設(shè)置有第二膜層,在所述引線層背離所述天線功能層的一側(cè)設(shè)置有第三膜層。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,在所述第三膜層背離所述引線層的一側(cè)層疊設(shè)置有第一膠膜和離型膜,所述第一膠膜靠近所述第三膜層設(shè)置,所述離型膜用于在貼附所述薄膜天線時(shí),從所述第一膠膜的表面剝離,所述第一膠膜以及所述離型膜位于所述第一區(qū)域內(nèi);
在所述第二膜層背離所述天線功能層的一側(cè)層疊設(shè)置有第二膠膜和導(dǎo)磁材料層,所述第二膠膜靠近所述第二膜層設(shè)置,所述第二膠膜以及所述導(dǎo)磁材料層位于所述第一區(qū)域內(nèi)。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,在所述第二膜層背離所述天線功能層的一側(cè)層疊設(shè)置有第一膠膜和離型膜,所述第一膠膜靠近所述第二膜層設(shè)置,所述離型膜用于在貼附所述薄膜天線時(shí),從所述第一膠膜的表面剝離,所述第一膠膜以及所述離型膜位于所述第一區(qū)域內(nèi);
在所述第三膜層背離所述引線層的一側(cè)層疊設(shè)置有第二膠膜和導(dǎo)磁材料層,所述第二膠膜靠近所述第三膜層設(shè)置,所述第二膠膜以及所述導(dǎo)磁材料層位于所述第一區(qū)域內(nèi)。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述導(dǎo)磁材料層在頻率13.56Mhz下的磁導(dǎo)率大于或等于150亨利/米,磁損耗可以小于或等于100W/m3。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述第三膜層在所述第一膜層上的正投影與所述端子在所述第一膜層上的正投影無交疊。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述天線線圈的線寬大于或等于0.5mm,且小于或等于5mm,所述引線的線寬大于或等于所述天線線圈的線寬。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述天線線圈為平面螺旋線圈,所述平面螺旋線圈的線圈間距大于或等于0.1mm,且小于或等于1mm。
在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中,所述端子的面積大于或等于2mm2。
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