[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件的制備方法

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• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113539950A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛宇涵
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括：

形成一第一導(dǎo)電線，該第一導(dǎo)電線包括一第一突出部，該第一突出部形成在該第一導(dǎo)電線的其中一側(cè)；

形成一第二導(dǎo)電線，該第二導(dǎo)電線包括第二突出部，該第二突出部形成在該第二導(dǎo)電線的其中一側(cè)，并面對該第一突出部；

形成一孔洞在該第一突出部與該第二突出部之間；以及

執(zhí)行一蝕刻制程以擴展該孔洞成為一氣隙。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中，該蝕刻制程是以平行于該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線的主軸而擴展該孔洞。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一第一襯墊層在該氣隙中，其中該第一襯墊層由下列材料所制：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或氧化氮化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成多個保護層在該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線上，其中該多個保護層由下列材料所制：鉭、氮化鉭、氮碳化鎢、鈷-鎢-磷化物合金、磷化鈷合金、鎳-鎢-磷化物合金、鎳硼合金、鈷-鎢-硼合金、鎳-錸-磷化物合金、鈷-錸-磷化物合金，或鎳。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一覆蓋層以密封該氣隙。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成多個阻障層在該第一突出部的各側(cè)邊上以及在該第二突出部的各側(cè)邊上，其中該多個阻障層由下列材料所制：鈦、氮化鈦、氮化鈦硅、鉭、氮化鉭，或氮化鉭硅。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中，該多個阻障層的一厚度介于大約到大約之間。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中，位在該第一突出部與該第二突出部之間的一距離，小于位在該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線之間的一距離。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中，該第一突出部形成在該第一導(dǎo)電線的其中一端，且該第二突出部形成在該第二導(dǎo)電線的其中一端。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一隔離層以及一第一襯墊層，其中該第一襯墊層形成在該第一突出部的其中一側(cè)上、在該第二突出部的其中一側(cè)上以及在該隔離層的一上表面上，其中該第一突出部的該側(cè)以及該第二突出部的該側(cè)相互面對設(shè)置。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一隔離層以及多個第二襯墊層，其中該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線形成在該隔離層上，該多個第二襯墊層形成在該第一突出部的各側(cè)邊上、在該第二突出部的各側(cè)邊上以及在該隔離層的一上表面上。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成多個第三襯墊層在該第一突出部的各側(cè)邊上以及在該第二突出部的各側(cè)邊上。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一覆蓋層以密封該氣隙；以及形成一第四襯墊層在該覆蓋層下方，以及在該第一突出部與該第二突出部之間。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一密封層在該第一導(dǎo)電線與該第二導(dǎo)電線的一端上，其中該第一導(dǎo)電線、該第二導(dǎo)電線以及該密封層未在相同的一垂直位面。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：形成一覆蓋層以密封該氣隙；以及形成多個保護層在該第一導(dǎo)電線與該覆蓋層之間，以及在該第二導(dǎo)電線與該覆蓋層之間。