[發明專利]芳基胺化合物、空穴傳輸層和空穴注入層用材料、發光器件和裝置、電子設備及照明裝置在審
| 申請號： | 202110362077.3 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN113493389A | 公開（公告）日： | 2021-10-12 |
| 發明（設計）人： | 瀨尾哲史;大澤信晴;久保田朋廣;渡部剛吉;植田藍莉;北野靖;鳥巢崇生 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | C07C211/61 | 分類號： | C07C211/61;C07C209/10;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 劉多益;胡燁 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芳基胺 化合物 空穴 傳輸 注入 用材 發光 器件 裝置 電子設備 照明 | ||
1.一種至少具有一個芳香基的芳基胺化合物，
其中，所述芳香基具有第一苯環、第二苯環及第三苯環以及至少三個烷基，
所述第一苯環、所述第二苯環及所述第三苯環依次直接鍵合，
所述第一苯環與所述芳基胺化合物中的胺的氮鍵合，
并且，所述第一苯環、所述第二苯環及所述第三苯環中的兩個以上在1位及3位分別獨立地與其他苯環、所述烷化苯基的苯環、所述至少三個烷基中的任意個或所述胺的所述氮鍵合。
2.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述第二苯環或所述第三苯環具有烷化苯基。
3.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述第一苯環具有取代或未取代的苯基。
4.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述第一苯環、所述第二苯環及所述第三苯環中的所有苯環在所述1位及所述3位以及烷化苯基的苯環在1位及3位分別獨立地與其他苯環、所述烷化苯基的苯環、所述至少三個烷基中的任意個或所述胺的所述氮鍵合。
5.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述第一苯環、所述第二苯環及所述第三苯環中的所有苯環在所述1位、所述3位及5位以及烷化苯基的苯環在1位、3位及5位分別獨立地與其他苯環、所述至少三個烷基中的任意個或所述胺的所述氮鍵合，
并且其他鍵合位置未取代。
6.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，還具有第二芳香基，
其中所述第二芳香基為取代或未取代的單環或者取代或未取代的三環以下的稠環骨架。
7.根據權利要求6所述的芳基胺化合物，
其中所述第二芳香基為取代或未取代的三環以下的稠環骨架，
并且形成所述稠環骨架的碳原子數為6至13。
8.根據權利要求7所述的芳基胺化合物，
其中所述稠環骨架為芴環。
9.根據權利要求6所述的芳基胺化合物，
其中所述第二芳香基為二甲基芴基。
10.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，還具有第三芳香基，
其中所述第三芳香基具有取代或未取代的一個至三個苯環。
11.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述烷基為碳原子數為2至5的鏈烷基。
12.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述烷基為碳原子數為3至5的支鏈鏈烷基。
13.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述烷基為叔丁基。
14.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述芳基胺化合物為三芳基胺化合物。
15.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中由所述芳基胺化合物形成的層的相對于波長455nm以上且465nm以下的光的尋常光折射率為1.5以上且1.75以下。
16.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中由所述芳基胺化合物形成的層的相對于波長633nm的光的尋常光折射率為1.45以上且1.70以下。
17.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述芳基胺化合物的分子量為400以上且1100以下。
18.根據權利要求1所述的芳基胺化合物，
其中所述芳基胺化合物為單胺化合物。
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