[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110361918.9 | 申請日: | 2021-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN113138503A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳劍鴻;杜鵬;王勐 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/1339;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 裴磊磊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括陣列基板和與陣列基板的第一側(cè)面相對設(shè)置的彩膜基板,陣列基板的第一側(cè)面設(shè)有第一公共電極層,第一公共電極層包括位于顯示區(qū)的第一公共電極;彩膜基板面向陣列基板的第二側(cè)面設(shè)有第二公共電極層,第二公共電極層包括位于顯示區(qū)內(nèi)的第二公共電極;顯示面板還包括設(shè)置在兩基板之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu),導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于顯示區(qū)內(nèi),其一端與第一公共電極電連接,另一端與第二公共電極電連接。通過將第一公共電極與第二公共電極電連接,提高了第一公共電極和第二公共電極上電壓的一致性,減小了因?yàn)閿?shù)據(jù)線上的電壓變化對第一公共電極和第二公共電極上的電壓造成的影響,避免了水平串?dāng)_,提高了顯示質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)液晶顯示裝置具有體積小、對比度高等優(yōu)點(diǎn),其應(yīng)用越來越廣泛。然而,現(xiàn)有的TFT液晶顯示裝置中,數(shù)據(jù)線上的電壓變化會影響陣列基板公共電壓,使公共電壓發(fā)生變形,造成水平串?dāng)_,影響了顯示裝置的顯示質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實(shí)施例提供一種顯示面板及顯示裝置,旨在解決現(xiàn)有的顯示裝置中存在的因數(shù)據(jù)線上的電壓變化使公共電壓發(fā)生變形引起的水平串?dāng)_問題,以提高顯示裝置的顯示質(zhì)量。
第一方面,本申請實(shí)施例提供一種顯示面板,所述顯示面板具有顯示區(qū),所述顯示面板包括:
陣列基板,所述陣列基板的第一側(cè)面設(shè)置有第一公共電極層,所述第一公共電極層包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的第一公共電極;
彩膜基板,所述彩膜基板與所述陣列基板的第一側(cè)面相對設(shè)置,所述彩膜基板面向所述陣列基板的第二側(cè)面設(shè)置有第二公共電極層,所述第二公共電極層包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的第二公共電極;
導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述顯示區(qū)內(nèi),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一端與所述第一公共電極電連接,另一端與所述第二公共電極電連接。
可選的,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括支撐在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的支撐柱,以及設(shè)置在所述支撐柱上的導(dǎo)電部,所述導(dǎo)電部沿所述支撐柱的長度方向延伸,所述導(dǎo)電部的一端與所述第一公共電極電連接,另一端與所述第二公共電極電連接。
可選的,所述導(dǎo)電部形成在所述支撐柱的表面,所述第一公共電極層上設(shè)有絕緣層,所述絕緣層上與所述第一公共電極對應(yīng)的位置設(shè)有第一過孔,所述導(dǎo)電部穿過所述第一過孔與所述第一公共電極電連接。
可選的,所述支撐柱設(shè)置在所述彩膜基板上,所述導(dǎo)電部包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述絕緣層上,所述第一導(dǎo)電層穿過所述第一過孔與所述第一公共電極電連接,所述第二導(dǎo)電層覆蓋在所述支撐柱上并與所述第二公共電極電連接,所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層互相抵接。
可選的,所述第二導(dǎo)電層與所述第二公共電極同層設(shè)置。
可選的,所述支撐柱與所述第一過孔的位置對應(yīng)。
可選的,所述絕緣層上設(shè)有色阻層,所述色阻層上對應(yīng)所述第一過孔的位置設(shè)有第二過孔,所述第一導(dǎo)電層穿過所述第一過孔以及第二過孔與所述第一公共電極電連接。
可選的,所述支撐柱設(shè)置在所述陣列基板上,所述支撐柱與所述第一過孔錯(cuò)位設(shè)置;
所述導(dǎo)電部包括第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層,所述第三導(dǎo)電層設(shè)置在所述絕緣層上,所述第三導(dǎo)電層穿過所述第一過孔與所述第一公共電極電連接,所述第四導(dǎo)電層自所述第三導(dǎo)電層沿所述支撐柱的側(cè)面延伸形成,所述第四導(dǎo)電層與所述第二公共電極電連接。
可選的,所述第四導(dǎo)電層覆蓋所述支撐柱表面,所述第四導(dǎo)電層與所述第二公共電極抵接,以使所述第四導(dǎo)電層與所述第二公共電極電連接。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





