[發(fā)明專利]降本增效的硅片邊緣拋光工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110361875.4
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113084598B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B21/00
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權(quán)

1.一種降本增效的硅片邊緣拋光工藝，其特征在于：包括如下操作步驟：

第一步：將硅片（1）通過機(jī)械手取片，送入至端面磨進(jìn)行定位，先對背面（2）進(jìn)行端面位拋光，背面（2）完成拋光后進(jìn)行噴淋清洗；

第二步：對將硅片（1）進(jìn)行翻面，對正面（3）進(jìn)行端面位拋光，正面（3）完成拋光后進(jìn)行噴淋清洗；

第三步：完成硅片（1）兩端面的拋光后，進(jìn)行外周邊拋光過程，此時(shí)背面（2）在上，正面（3）在下，從背面（2）側(cè)邊的A2段開始進(jìn)刀，經(jīng)過BC段，再加工正面（3）側(cè)邊的A1段，接著從A1段的尾端折回繼續(xù)拋光從BC段的上端退刀，完成硅片（1）外周邊拋光過程后進(jìn)行噴淋清洗；精拋帶（4）通過精拋環(huán)形槽（7）與硅片（1）的外周邊貼合式插接，采用精拋環(huán)形槽（7）和同步噴淋實(shí)現(xiàn)精拋帶（4）對硅片（1）的水帶磨過程；

A2段的加工時(shí)間為8秒，BC段和A1段的加工時(shí)間均為16秒，硅片（1）在研削臺行進(jìn)速率設(shè)定為0.63mm/s，研削臺行進(jìn)幅度為15mm；

拋光過程的拋光液采用原液和去離子水進(jìn)行混合配比而成，配比為1:8～1:30；原液為不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，原液可選用氧化硅拋光液或氧化鈰拋光液；

第四步：硅片（1）兩端通過單方向循環(huán)運(yùn)行的精拋帶（4），此時(shí)轉(zhuǎn)軸（6）帶動(dòng)磁盤（5）固定的硅片（1）進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，同時(shí)在精拋過程中對硅片（1）進(jìn)行噴淋；

第五步：將完成拋光工藝的硅片（1）通過機(jī)械手取片放置到溢流槽進(jìn)行保管。