[發明專利]改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法

在審

• 申請號: 202110361869.9
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113140446A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 張聰;張森陽;安人龍;戚定定
• 申請（專利權）人: 杭州中欣晶圓半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權

本發明涉及一種改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，所屬半導體材料技術領域，如下操作步驟：步驟一：LTO背封層成膜后通過目檢篩選出膜面上有缺陷的不良片，包括顆粒造成的成膜不良；篩選出LTO層內或者嵌入LTO層的顆粒造成的成膜不良片。步驟二：通過刷片清洗機的PVA刷進行刷硅片的清洗。步驟三：拋光前進行清洗，第一步采用去離子水進行清洗，第二步采用SC1對LTO背封硅片進行兩次清洗，第三步再次采用去離子水進行清洗。步驟四：完成清洗后的LTO背封硅片進行拋光處理。具有運行穩定性好和產品合格率高的特點。解決了背封層表面附著顆粒及LTO背封硅片在拋光時發生凹坑的問題。

技術領域

本發明涉及半導體材料技術領域，具體涉及一種改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法。

背景技術

化學機械拋光即Chemical Machine Polishing, CMP，是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合，在施加一定壓力下，通過硅片和拋光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面。拋光前的的涂蠟貼片過程中，如果引入了一定粒徑大小的顆粒，施加壓力后硅片拋光面產生凸起，拋光過程中該凸起被修平，硅片剝離下來后，應力恢復，凸起部分就會出現凹坑，凹坑的產生直接影響硅片表面局部平整度參數波動。

背封硅片通常是用化學氣相沉積的方法在硅片背面沉積一層LTO，LTO即低溫二氧化硅，LTO背封層不可避免會有顆粒附著在上面，主要有兩種模式，一種是LTO背封層封住的顆粒，另一種是背封層表面附著的顆粒。這導致LTO背封硅片在拋光時凹坑的發生率較高。目前對于LTO背封硅片通常在拋光貼片前使用氨水和雙氧水藥液清洗，不能有效解決此問題。

發明內容

本發明主要解決現有技術中存在運行穩定性差和產品合格率低的不足，提供了一種改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其具有運行穩定性好和產品合格率高的特點。解決了背封層表面附著顆粒及LTO背封硅片在拋光時發生凹坑的問題。

本發明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：

一種改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，包括如下操作步驟：

步驟一：LTO背封層成膜后通過目檢篩選出膜面上有缺陷的不良片，包括顆粒造成的成膜不良；篩選出LTO層內或者嵌入LTO層的顆粒造成的成膜不良片。

步驟二：通過刷片清洗機的PVA刷進行刷硅片的清洗。利用PVA刷的機械作用去除LTO膜表面附著的顆粒。

步驟三：拋光前進行清洗，第一步采用去離子水進行清洗，第二步采用SC1對LTO背封硅片進行兩次清洗，第三步再次采用去離子水進行清洗。降低LTO表面附著的小顆粒。

步驟四：完成清洗后的LTO背封硅片進行拋光處理。

作為優選，目檢采用熒光燈和聚光燈兩種方式觀察。

作為優選，每個藥液清洗時間為250秒～350秒，同時每次清洗過程中增加超聲清洗過程，提高去除顆粒的效果。也可以使用兆聲清洗。

作為優選，超聲清洗的聲波頻率在20kHz到40kHz之間。

作為優選，SC1配比為：NH4OH:H2O2:H2O=1:2:（5-20），SC1藥液使用周期為2小時，溫度65℃。

作為優選，用有蠟貼片的方式對背封硅片做粗、中、精拋光。

作為優選，有蠟貼片所用為液體蠟，液體蠟中的蠟含量在28％～38%，溶劑為異丙醇。

本發明能夠達到如下效果：

本發明提供了一種改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，與現有技術相比較，具有運行穩定性好和產品合格率高的特點。解決了背封層表面附著顆粒及LTO背封硅片在拋光時發生凹坑的問題。

具體實施方式

下面通過實施例，對發明的技術方案作進一步具體的說明。