[發(fā)明專利]一種CdSe量子點(diǎn)、及其制備方法和光電導(dǎo)二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110361517.3
• 申請(qǐng)日: 2021-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN113150785B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄢勇;周藝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)家納米科學(xué)中心
• 主分類號(hào): C09K11/88
• 分類號(hào): C09K11/88;C09K11/02;B82Y30/00;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 北京市英智偉誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11521
• 代理人: 劉丹妮;姚望舒

1.一種帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒，其特征在于，所述離子配體為N,N,N-三甲基-11-巰基烷基氯化銨；

其中，所述帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒的紫外吸收第一激子激發(fā)峰的波長(zhǎng)位置在400～700nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒，其特征在于，所述帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒第一激子激發(fā)峰的范圍選自以下一種或多種：510nm、520nm、552nm、572nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)以CdSe、十六胺以及三正辛基氧膦的混合物為前體，用熱注射法合成十六胺配體的CdSe量子點(diǎn)；

(2)將步驟(1)合成的CdSe量子點(diǎn)冷卻至室溫，用乙醇清洗后溶于氯仿，再加入離子配體進(jìn)行配體交換，得到所述帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述熱注射法的合成溫度為200～300℃；和/或

步驟(2)中，所述配體交換時(shí)間為0.5～3小時(shí)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述熱注射法的合成溫度為250～300℃；和/或

步驟(2)中，所述配體交換時(shí)間為0.5～2小時(shí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述熱注射法的合成溫度為280℃；和/或

步驟(2)中，所述配體交換時(shí)間為1小時(shí)。

7.一種CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管，其特征在于，所述CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管包括分別滴涂有權(quán)利要求1或2所述的帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)顆粒的碳材料電極和ITO電極，CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管可在偏壓下捕獲自由離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管，其特征在于，所述碳材料電極中的碳材料選自以下一種或多種：?jiǎn)伪谔技{米管、還原氧化石墨烯。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(I)分別制備碳材料電極和ITO電極；

(II)將帶有離子配體的CdSe量子點(diǎn)溶于甲醇，并將其甲醇溶液分別滴涂于步驟(I)制備的碳材料電極與ITO電極表面，將兩電極貼合形成接觸，完成CdSe量子點(diǎn)光電導(dǎo)二極管器件的構(gòu)建。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，步驟(I)中，所述碳材料電極的制備方法包括以下步驟：

(A)將單壁碳納米管分散液與還原氧化石墨烯分散液超聲處理后，以纖維樹脂MCE為濾膜，對(duì)其濾液分別進(jìn)行抽濾，得到碳納米管/還原氧化石墨烯復(fù)合薄膜；

(B)將步驟(A)制得的碳納米管/還原氧化石墨烯復(fù)合薄膜溶解后再行轉(zhuǎn)移至氧化硅基底上，用去離子水將其潤(rùn)濕，待水分蒸發(fā)后，將MCE濾膜揭掉，對(duì)所述復(fù)合膜進(jìn)行退火處理，得到所述碳材料電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，步驟(A)中，所述單壁碳納米管分散液中還包括表面活性劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，步驟(A)中，所述表面活性劑為SDS。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟(B)中，所述退火處理溫度為200～500℃；和/或

所述退火處理時(shí)間為10～60分鐘。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，步驟(B)中，所述退火處理溫度為250～400℃；和/或

所述退火處理時(shí)間為20～40分鐘。