[發明專利]一種采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 202110361071.4
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113054141A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市芯視佳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 任晨晨

1.一種采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，包括基底及設置在基底上的陰極結構；所述陰極結構上設置功能層、功能層上設置陽極，陽極上設置封蓋層。

2.根據權利要求1所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述陰極結構自下而上依次為：金屬薄膜層、高反射率薄膜層和表面修飾層。

3.根據權利要求2所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述金屬薄膜為鋯、鉻或鈦薄膜；厚度為1-50nm。

4.根據權利要求2所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述高反射率薄膜為鋁、鎂、金或銀薄膜；厚度為600-1200nm。

5.根據權利要求2所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述表面修飾層為鉻、鉬、氮化鈦、氮化鋯、氮化鉻、氮化鋁、鈦、TiAlN薄膜；所述表面修飾層厚度為1-5nm。

6.根據權利要求1所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述功能層為從下到上依次為電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層、空穴傳輸層、空穴注入層。

7.根據權利要求1所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述功能層還包含電荷產生層和多發光層。

8.根據權利要求6或7所述的采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件，其特征在于，所述空穴注入層為氧化鎢WO₃、三氧化鉬MoO₃、五氧化二釩V₂O₅或三氧化錸ReO₃金屬氧化物膜層或共摻雜有機半導體薄膜；厚度為1-5nm。

9.一種權利要求1-8任一項所述采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

1)、在基底上制備陰極結構；

2)、采用真空蒸鍍的方法在陰極結構上制備功能層；

3)、制備陽極；

4)、制備封蓋層。

10.一種權利要求1-8任一項所述采用倒置OLED結構的硅基微顯示器件的應用，其特征在于，用于制作硅基顯示器。