[發(fā)明專利]一種可變窄帶差分電容傳感電路、傳感方法及其應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110360735.5 | 申請日: | 2021-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN113137980A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 屈新苗 | 申請(專利權(quán))人: | 屈新苗 |
| 主分類號: | G01D5/241 | 分類號: | G01D5/241;G01F23/26 |
| 代理公司: | 廣州市智遠創(chuàng)達專利代理有限公司 44619 | 代理人: | 卓幼紅 |
| 地址: | 421200 湖南省衡陽市*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可變 窄帶 電容 傳感 電路 方法 及其 應用 | ||
本發(fā)明公開了一種可變窄帶差分電容傳感電路、傳感方法及其應用,該電路包括感應片依次連接RC振蕩電路、鑒頻電路、濾波電路和MCU芯片,所述感應片包括主感應片和副感應,RC振蕩電路包括一具有兩路振蕩電路的振蕩芯片,兩路振蕩電路分別與主感應片和副感應片連接;所述鑒頻電路為D觸發(fā)器,所述阻容濾波電路中包括兩級RC濾波,所述MCU芯片與阻容濾波電路連接。本發(fā)明電路能有效避免零點漂移,其工作溫度范圍大,在工作溫度范圍內(nèi)能有效避免溫度飄移,能夠針對單一功能應用的傳感器,其制造難度大大減少;差值檢測原理,可極大的提高傳感器的抗干擾性,其基于電路的傳感方法有效、實用,應該范圍廣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微小電容差值檢測相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種可變窄帶差分電容傳感電路及其應用。
背景技術(shù)
電容式傳感器的種類很多,例如非接觸式的液位傳感器、電容式接近開關(guān)等等都是基于電容感應原理;現(xiàn)有的實用電路如果要達到較高的線性測量,必須借助成熟的電容傳感器組件(比如差動電容腔),或有針對性設(shè)計感應片,使得傳感器體積變大、制造難度變高;要簡化感應片的設(shè)計必將普遍面臨零點漂移大、溫度飄移嚴重、線性度差及抗干擾嚴重等諸多問題;以至于現(xiàn)有的電容式傳感器無法滿足大多數(shù)的工業(yè)實際應用所追求的性價比。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可變窄帶差分電容傳感電路及其應用,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種可變窄帶差分電容傳感電路,包括感應片依次連接RC振蕩電路、鑒頻電路、濾波電路和MCU芯片,所述感應片包括主感應片和副感應片,所述RC振蕩電路包括一具有兩路振蕩電路的振蕩芯片,兩路振蕩電路分別與主感應片和副感應片連接。
所述的RC振蕩電路包括一振蕩芯片U2,設(shè)置有幾個連接腳,振蕩芯片U2中其中一路RC振蕩電路的電阻為R1,跨接在U2的1腳(1C)與6腳(1R)之間,主感應片作為第一路RC振蕩電路的電容連接于U2的1腳(1C),振蕩波形從U2的6腳(1R)輸出,進入U3的1腳;
振蕩芯片U2的第二路RC振蕩電路的電阻為R4,跨接在振蕩芯片U2的3腳(2C)與4腳(2R)之間,副感應片作為第二路RC振蕩電路的電容連接于U2的3腳(2C),振蕩波形從U2的4腳(2R)輸出,進入U3的2腳。
所述鑒頻電路為D觸發(fā)器U3,U3的1腳輸入方波與U3的2腳輸入方波通過D觸發(fā)器邏輯疊加后由U3的4腳輸出鑒頻波。
所述濾波電路為由R2C1及R3C2組成的兩級RC濾波。
所述MCU芯片采集兩級濾波后的直流信號,經(jīng)過AD轉(zhuǎn)換,由植入MCU內(nèi)部的軟件進行線性化處理或峰值判斷。
作為本發(fā)明進一步的方案:所述副感應片所在RC振蕩設(shè)為連接D觸發(fā)器的時鐘輸入端,所述主感應片所在RC振蕩設(shè)為連接D觸發(fā)器的D端。
作為本發(fā)明進一步的方案:所述主感應片和副感應片為面積比約為4:1的PCB覆銅片。也可根據(jù)功能的差異側(cè)重,其結(jié)構(gòu)形式與面積比可靈活設(shè)計。
一種如上述可變窄帶差分電容傳感電路的的傳感方法,包括如下:
S1.副感應片產(chǎn)生的副方波作為D觸發(fā)器的時鐘輸入,主感應片產(chǎn)生的主方波作為D觸發(fā)器的D輸入;當有物體靠近感應片后,主方波頻率下降幅度比副方波下降幅度大,根據(jù)D觸發(fā)器邏輯運算功能,Q端輸出波形的占空比變小,物體繼續(xù)靠近感應片,將可能使得Q端輸出波形占空比變?yōu)榱悖?/p>
被測物體靠近感應片后,其主副感應片的等效電容差與被測物體到感應片的距離D具有一定的函數(shù)關(guān)系,假設(shè)主感應片面積為4S,副感應片面積為S,電容差ΔC=3kS/D,k為介電常數(shù);
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