[發明專利]混合集成型片上光頻梳及其制備方法有效
| 申請號： | 202110360256.3 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN113093448B | 公開（公告）日： | 2022-01-04 |
| 發明（設計）人： | 王玲芳;時鑫 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02F1/35 | 分類號： | G02F1/35;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/58;C23C16/34 |
| 代理公司： | 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王偉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 混合 集成 上光 及其 制備 方法 | ||
1.混合集成型片上光頻梳，其特征在于，包括依次相鄰的硅基底(1)、二氧化硅襯底(2)和薄膜鈮酸鋰(3)，薄膜鈮酸鋰(3)上異質集成一層氮化硅波導；
所述氮化硅波導包括橫跨薄膜鈮酸鋰(3)上表面的氮化硅直波導(5)，以及位于氮化硅直波導(5)一側的氮化硅微環(6)；
氮化硅微環(6)下方的薄膜鈮酸鋰為圓周極化薄膜鈮酸鋰(4)。
2.根據權利要求1所述的混合集成型片上光頻梳，其特征在于，所述氮化硅直波導(5)與氮化硅微環(6)相鄰的波導段呈與氮化硅微環(6)的外環平行的弧形。
3.如權利要求1或2所述的混合集成型片上光頻梳制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在硅基底上生長一層二氧化硅襯底，然后在二氧化硅襯底表面通過晶片鍵合切割得到薄膜鈮酸鋰，并對得到的基片進行清洗；
S2、在薄膜鈮酸鋰上濺射鉻阻擋層，在鉻阻擋層上旋涂光刻膠，經過標準光刻工藝制備表面圓周極化電極；
S3、施加電壓，進行薄膜鈮酸鋰的圓周極化；
S4、完成薄膜鈮酸鋰的圓周極化后，通過濕法刻蝕去除圓周極化電極和鉻阻擋層；
S5、通過化學氣相沉積在薄膜鈮酸鋰上沉積一層氮化硅薄膜，然后在氮化硅薄膜上濺射一層鉻；
S6、旋涂光刻膠，通過標準光刻工藝制備氮化硅波導圖案；
S7、通過電子束刻蝕對光波導進行構圖，制備氮化硅直波導與氮化硅微環，氮化硅微環部分與圓周極化薄膜鈮酸鋰部分對應；
S8、去除氮化硅波導表面的光刻膠和鉻并進行清洗，完成器件制備。
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