[發明專利]一種冗余填充方法

在審

• 申請號: 202110359995.0
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113312870A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 張恒;劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;H01L27/24
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高天華;張穎玲

本申請實施例公開了一種冗余填充方法，所述方法包括：形成第一堆疊結構，所述第一堆疊結構包括下部位線層和存儲堆疊層；對所述第一堆疊結構沿第一方向進行刻蝕，以形成沿第二方向交替排列的第一間隙和第一相變結構體，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相變結構體包括第一功能結構和第一冗余結構；在所述第一間隙中填充隔熱材料，以形成的填充層；對所述填充層進行平坦化處理，并去除所述第一冗余結構。

技術領域

本申請實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種冗余填充方法。

背景技術

隨著集成電路特征尺寸的不斷縮小，半導體器件(Device)的設計尺寸越來越來越精密，制作工藝上微小的波動都可能會對器件的性能產生不可忽略的影響，這就對半導體制造工藝穩定性的提出了越來越高的要求。但是工藝穩定性也不可避免地受到集成電路設計版圖的影響。例如在設計版圖空曠區域填充冗余圖形，能有效減少平坦化過程中的凹陷(dishing)或侵蝕(erosion)現象；在靠近柵極周圍加入器件輔助圖形，能有效減小刻蝕負載效應(loading effect)對柵極關鍵尺寸的影響，提高柵極的線寬均勻性。

然而，針對三維存儲器，其存儲單元的形成過程中存在多個平坦化和刻蝕的步驟，由于設計版圖的圖形密度的影響，導致平坦化和刻蝕步驟后會產生凹陷、侵蝕、刻蝕負載效應等缺陷。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例為解決現有技術中存在的至少一個問題而提供冗余填充方法。

為達到上述目的，本申請實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供一種冗余填充方法，所述方法包括：

形成第一堆疊結構，所述第一堆疊結構包括下部位線層和存儲堆疊層；

對所述第一堆疊結構沿第一方向進行刻蝕，以形成沿第二方向交替排列的第一間隙和第一相變結構體，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相變結構體包括第一功能結構和第一冗余結構；

在所述第一間隙中填充隔熱材料，以形成的填充層；

對所述填充層進行平坦化處理，并去除所述第一冗余結構。

在一種可選的實施方式中，所述第一功能結構與所述第一冗余結構的結構相同，其中，所述第一功能結構包括多個第一目標結構，所述多個第一目標結構中的每個第一目標結構包括一條下部位線和一條存儲堆疊條。

在一種可選的實施方式中，所述對所述第一堆疊結構沿第一方向進行刻蝕，以形成沿第二方向交替排列的第一間隙和第一相變結構體，包括：

確定第一設計版圖，根據所述第一設計版圖的圖形密度確定第一冗余填充區域；

對第一堆疊結構沿第一方向進行刻蝕，以在存儲區形成第一功能結構，以及在所述第一冗余填充區域形成第一冗余結構。

在一種可選的實施方式中，所述去除所述第一冗余結構，包括：

在所述第一相變結構體上形成截切掩膜；

通過所述截切掩膜刻蝕去除所述第一冗余結構。

在一種可選的實施方式中，所述方法還包括：

形成下部字線層；

對所述下部字線層和所述第一功能結構沿第二方向進行刻蝕，以形成沿第一方向交替排列的第二間隙和第二相變結構體；所述第二相變結構體包括第二功能結構和第二冗余結構；

在所述第二間隙中填充隔熱材料，以形成的填充層；

對所述填充層進行平坦化處理，并去除所述第二冗余結構。