[發(fā)明專利]一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110358632.5 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN113067461B | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 閘鋼 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳能芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/08 | 分類號： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電容 型高側(cè) 開關(guān) 管關(guān)斷 控制系統(tǒng) | ||
1.一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，包括電荷泵、NMOS管MH、NMOS管ML，NMOS管MH的柵極與電荷泵的輸出端的耦接，NMOS管MH的漏極接電源VCC，NMOS管MH的源極與NMOS管ML的漏極耦接，NMOS管ML的源極接地，NMOS管ML的漏極以及NMOS管MH的源極兩點(diǎn)之間的電壓作為Vout輸出，其特征在于，還包括：
主關(guān)斷模塊(1)，耦接于所述NMOS管MH，用于將NMOS管MH的柵極與源極短接；
以及控制模塊(2)，耦接于所述主關(guān)斷模塊(1)，用于控制所述主關(guān)斷模塊(1)的接通及關(guān)斷；
所述主關(guān)斷模塊(1)具有第一連接端、第二連接端以及第三連接端，所述主關(guān)斷模塊(1)的第一連接端耦接于NMOS管MH的柵極、第二連接端耦接于所述NMOS管MH的源極、第三連接端耦接于所述控制模塊(2)；
當(dāng)所述第三連接端上的電壓值超過第二連接端上的電壓值時(shí)，所述主關(guān)斷模塊(1)激活接通；
所述主關(guān)斷模塊(1)的第二連接端與第三連接端之間耦接有電阻R2，所述控制模塊(2)包括：
電流供給模塊(21)，耦接于所述主關(guān)斷模塊(1)的第三連接端，用于對所述主關(guān)斷模塊(1) 提供電流以在電阻R2上產(chǎn)生壓降；
以及輔助關(guān)斷模塊(22)，耦接于所述NMOS管MH的柵極，用于將所述NMOS管MH的柵極接地使其電壓置零。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述主關(guān)斷模塊(1)包括NMOS管M8、電阻R2，NMOS管M8的漏極與NMOS管MH的柵極耦接、源極與NMOS管MH的源極耦接、柵極與控制模塊(2)耦接，電阻R2的兩端分別與NMOS管M8的源極、柵極耦接，所述第一連接端為NMOS管M8的漏極、第二連接端為NMOS管M8的源極、第三連接端為NMOS管M8的柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述電流供給模塊(21)包括PMOS電流鏡M6~M5、可控電流源I1，所述PMOS電流鏡M6~M5的輸入端與可控電流源I1耦接、輸出端與NMOS管M8的柵極耦接、供電端耦接于電源VCC，可控電流源I1的另一端接地，可控電流源I1具有控制端，控制端用于接收外部控制信號以控制可控電流源I1產(chǎn)生電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述輔助關(guān)斷模塊(22)包括NMOS管M7，所述NMOS管M7的漏極耦接于NMOS管M8的柵極、源極接地、柵極用于接入外部控制信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于：所述NMOS管M7的柵極與可控電流源I1的控制端耦接，以供NMOS管M7的柵極與可控電流源I1同時(shí)接收外部控制信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
自斷路模塊(3)，耦接于所述輔助關(guān)斷模塊(22)，用于在所述主關(guān)斷模塊(1)開啟后將輔助關(guān)斷模塊(22)斷開。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述自斷路模塊(3)包括：
斷路信號輸入模塊(31)，耦接于所述輔助關(guān)斷模塊(22)，內(nèi)預(yù)置有基準(zhǔn)電壓值，將所述NMOS管MH的源極電壓值與基準(zhǔn)電壓值比較，以輸出斷路信號；
以及執(zhí)行模塊(32)，耦接于所述斷路信號輸入模塊(31)以及輔助關(guān)斷模塊(22)，接收斷路信號，以作出控制所述輔助關(guān)斷模塊(22)通斷的響應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種無自舉電容的N型高側(cè)開關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述執(zhí)行模塊(32)包括：
非門，其輸入端耦接于所述斷路信號輸入模塊(31)，以用于接收斷路信號；
以及與門，其第一輸入端耦接于非門的輸出端，其第二輸入端用于接收外部控制信號，輸出端與輔助關(guān)斷模塊(22)耦接以作出控制所述輔助關(guān)斷模塊(22)通斷的響應(yīng)。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
