[發明專利]一種基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構

在審

• 申請號: 202110358510.6
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN115172400A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 金重星;何昆鵬;劉宇;吳振志;邱榮邦;吳涵渠
• 申請（專利權）人: 深圳市奧拓電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，包括：

基板；

氮化物中間層，設置于所述基板的一面上；

第一N型層，設置于所述氮化物中間層上；

若干個N型接觸端，設置于所述第一N型層上；

若干個Micro LED單元，陣列排布設置于若干個所述N型接觸端上，每列所述Micro LED單元連接共用一個所述N型接觸端；

若干個隔離柵，設置于若干個所述Micro LED單元之間，所述隔離柵縱向深度最低至所述第一N型層底部；

集成電路，設置于所述基板另一面上。

2.根據權利要求1所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述Micro LED單元還包括：

第二N型層；

發射層，設置在所述第二N型層上；

P型層，設置在所述發射層上；

P型接觸端，設置在所述P型層上。

3.根據權利要求2所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述集成電路是共陰極電路，每列所述Micro LED單元共用一個所述N型接觸端。

4.根據權利要求2所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述N型接觸端的數量等于所述Micro LED單元陣列的列數。

5.根據權利要求4所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述隔離柵縱向光刻至所述第一N型層與所述氮化物中間層之間，所述隔離柵橫向光刻厚度與縱向光刻厚度范圍為0.2～0.8μm。

6.根據權利要求4所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述隔離柵通過光刻和/或腐蝕后注入離子形成。

7.根據權利要求5所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述隔離柵橫向厚度小于所述隔離柵縱向厚度。

8.根據權利要求1所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，還包括：

散熱層，所述散熱層設置于所述基板和所述氮化物中間層之間。

9.根據權利要求8所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述散熱層包括石墨烯顆粒、石墨烯薄膜和/或帶有圓孔的石墨烯層。

10.根據權利要求9所述的基于氮化物Micro LED陣列的顯示結構，其特征在于，所述帶有圓孔的石墨烯層中的圓孔直徑范圍在100～200μm。